作者deepwoody (快回火星吧)
看板Physics
標題Re: [問題] 半導體元件GIDL 的解法討論
時間Mon Dec 23 09:54:34 2024
※ 引述《lano1111 (Lano)》之銘言：
: https://imgur.com/a/WgFKoML
: 【題目】(題目的文字敘述，如有圖片亦可提供圖片)
: 對於GIDL的解法網路上都是打LDD。降低GATE下方的基板濃度來解決
: 【瓶頸】
: 但是目前有一些疑問
: 1.對於LDD改善的原因
: GIDL發生主要是S/D擴散到Gate下方形成OVL
: 在Drain跟gate有大壓差下，Drain跟gate中間的substrate產生BTBT形成電子電洞對
: LDD會降低substrate濃度；這樣會讓能帶圖中的斜率變得趨緩，增加BTBT形成的難度
: 這樣想是對的嗎?
: 2.LDD濃度對GIDL的改善應該會有極限
: 濃度打太淡會改善不大；但是打太濃應該也會有極限而且會造成side effect
: 目前想能想到的side effect可能有
: Vt shift/roll off
: shrot channel effect?
: google上找不太到相關的討論想與各位請益
1. 對的
2. LDD太淡會讓S/D的阻值太大，進而影響ON current。太濃就失去LDD的意義了，也會讓
short channel effect變嚴重。
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1F：推 lano1111: 謝謝你的回答 12/23 21:06