作者deepwoody (快回火星吧)
看板Physics
标题Re: [问题] 半导体元件GIDL 的解法讨论
时间Mon Dec 23 09:54:34 2024
※ 引述《lano1111 (Lano)》之铭言：
: https://imgur.com/a/WgFKoML
: 【题目】(题目的文字叙述，如有图片亦可提供图片)
: 对於GIDL的解法网路上都是打LDD。降低GATE下方的基板浓度来解决
: 【瓶颈】
: 但是目前有一些疑问
: 1.对於LDD改善的原因
: GIDL发生主要是S/D扩散到Gate下方形成OVL
: 在Drain跟gate有大压差下，Drain跟gate中间的substrate产生BTBT形成电子电洞对
: LDD会降低substrate浓度；这样会让能带图中的斜率变得趋缓，增加BTBT形成的难度
: 这样想是对的吗?
: 2.LDD浓度对GIDL的改善应该会有极限
: 浓度打太淡会改善不大；但是打太浓应该也会有极限而且会造成side effect
: 目前想能想到的side effect可能有
: Vt shift/roll off
: shrot channel effect?
: google上找不太到相关的讨论想与各位请益
1. 对的
2. LDD太淡会让S/D的阻值太大，进而影响ON current。太浓就失去LDD的意义了，也会让
short channel effect变严重。
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※ 文章网址: https://webptt.com/cn.aspx?n=bbs/Physics/M.1734918876.A.B39.html
1F：推 lano1111: 谢谢你的回答 12/23 21:06