請參考以下網址的圖 http://www.iue.tuwien.ac.at/phd/hehenberger/dissap2.html 不知道下面的解釋是否正確，若是有不正確的地方還請各位提出。 以 p-substrate在累積狀況(上排最左邊第一張)為例子 此狀況下 Metal加負電壓，p-substrate接地 因為電壓源會將電子灌入Metal，讓Metal處在高能階的電子機率增加 所以Metal的Ef會整條往高能量的方向移動； p-substrate接地，並無電子進入p-substrate，p-substrate中也沒有電流 所以p-substrate整條Ef的能量不動，也不會彎曲 但p-substrate靠近oxide的介面處，oxide電場關係讓電洞聚集 會讓靠近oxide的介面處的Ec、Ev能帶往上彎。 另外，這邊我就不了解了，何種原因會讓靠近oxide的介面處的Ec、Ev能帶往上彎， 以及如何分辨靠近oxide的介面處的Ec、Ev能帶往上還是往下彎 請教各位。 --

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