请参考以下网址的图 http://www.iue.tuwien.ac.at/phd/hehenberger/dissap2.html 不知道下面的解释是否正确，若是有不正确的地方还请各位提出。 以 p-substrate在累积状况(上排最左边第一张)为例子 此状况下 Metal加负电压，p-substrate接地 因为电压源会将电子灌入Metal，让Metal处在高能阶的电子机率增加 所以Metal的Ef会整条往高能量的方向移动； p-substrate接地，并无电子进入p-substrate，p-substrate中也没有电流 所以p-substrate整条Ef的能量不动，也不会弯曲 但p-substrate靠近oxide的介面处，oxide电场关系让电洞聚集 会让靠近oxide的介面处的Ec、Ev能带往上弯。 另外，这边我就不了解了，何种原因会让靠近oxide的介面处的Ec、Ev能带往上弯， 以及如何分辨靠近oxide的介面处的Ec、Ev能带往上还是往下弯 请教各位。 --

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