在半導體中，一直探討費米能階問題 念久了有些不懂的問題需要請教： 1.半導體書中都會告訴我們PN接面、金半接面與MOS電容器三個系統 若是無外加偏壓(即在熱平衡)下， 系統中的費米能階是一個常數。 但是，為何三個系統加了偏壓後， 系統中的分米能階會分裂成兩個，而不再只是一條直線? 2.為何PN接面在P型區接地、N型區加負偏時 N型區的Ef會較PN接面熱平衡時的Ef往上抬升 我的想法是，對電子來說，E=qV， 所以V<0，E應該是較PN接面熱平衡時的Ef往下降 3.金半皆面與MOS電容器 為何以能帶圖解釋偏壓時， 幾乎都聲明金屬端的費米能階不會動，動的都是半導體端的 是跟上述一樣，都是假設金屬端接地嗎? 4.最後，系統為金屬-n型半導體(金半接面)時 只有能量超過位能障的多數載子(電子)， 才能熱離子發射至對向。 金半接面的主要電流不考慮少數載子的影響。 這樣敘述是否正確。 請教各位了，謝謝！ --

※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 180.217.178.211 ※ 文章網址: https://webptt.com/m.aspx?n=bbs/Physics/M.1534044744.A.669.html