在半导体中，一直探讨费米能阶问题 念久了有些不懂的问题需要请教： 1.半导体书中都会告诉我们PN接面、金半接面与MOS电容器三个系统 若是无外加偏压(即在热平衡)下， 系统中的费米能阶是一个常数。 但是，为何三个系统加了偏压後， 系统中的分米能阶会分裂成两个，而不再只是一条直线? 2.为何PN接面在P型区接地、N型区加负偏时 N型区的Ef会较PN接面热平衡时的Ef往上抬升 我的想法是，对电子来说，E=qV， 所以V<0，E应该是较PN接面热平衡时的Ef往下降 3.金半皆面与MOS电容器 为何以能带图解释偏压时， 几乎都声明金属端的费米能阶不会动，动的都是半导体端的 是跟上述一样，都是假设金属端接地吗? 4.最後，系统为金属-n型半导体(金半接面)时 只有能量超过位能障的多数载子(电子)， 才能热离子发射至对向。 金半接面的主要电流不考虑少数载子的影响。 这样叙述是否正确。 请教各位了，谢谢！ --

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