第一次發文，請多多指教 最近唸一篇關於 單層MoS2金屬-絕緣體相變的實驗論文，他做了電導-溫度量測，發現電 子密度超過某值後，電導隨溫度下降而增加，低於此密度 電導隨溫度下降而下降，因此 做出結論 : 這是單層MoS2 的MIT，歸因於電子之間的交互作用強過scaling theory of l ocalization，類似於 半導體FET的二維電子氣的MIT。 另外他用實驗數據代入Ioffe-Regel criterion 得到接近1的值 (kf * le ~ 1)，表示實 驗符合MIT理論的預測。 我的問題 (1) scaling theory 所說的絕緣體，在實驗上等於降溫時電阻上升的系統? (2)請問 Ioffe-Regel criterion 在什麼狀況下可以用(disorder強/弱的系統)? 我的理 解是密度增加超過某值時，kf*le ~1，系統變成金屬，這表示系統的電導隨溫度下降而增 加，這不會和scaling theory衝突嗎？ (3)不懂他的邏輯 : 他既然提到了scaling theory和類比FET的實驗，表示系統的disorder potential應該是 非常弱的，但是他又用了Ioffe-Regel criterion，感覺上這個criterion是用在disorder potential 比較強的系統? (4)想順便問一下 scaling theory說非常乾淨的一維/二維系統成為絕緣體的原因，可以 說是回原點的建設性干涉(weak localization)嗎? --

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