第一次发文，请多多指教 最近念一篇关於 单层MoS2金属-绝缘体相变的实验论文，他做了电导-温度量测，发现电 子密度超过某值後，电导随温度下降而增加，低於此密度 电导随温度下降而下降，因此 做出结论 : 这是单层MoS2 的MIT，归因於电子之间的交互作用强过scaling theory of l ocalization，类似於 半导体FET的二维电子气的MIT。 另外他用实验数据代入Ioffe-Regel criterion 得到接近1的值 (kf * le ~ 1)，表示实 验符合MIT理论的预测。 我的问题 (1) scaling theory 所说的绝缘体，在实验上等於降温时电阻上升的系统? (2)请问 Ioffe-Regel criterion 在什麽状况下可以用(disorder强/弱的系统)? 我的理 解是密度增加超过某值时，kf*le ~1，系统变成金属，这表示系统的电导随温度下降而增 加，这不会和scaling theory冲突吗？ (3)不懂他的逻辑 : 他既然提到了scaling theory和类比FET的实验，表示系统的disorder potential应该是 非常弱的，但是他又用了Ioffe-Regel criterion，感觉上这个criterion是用在disorder potential 比较强的系统? (4)想顺便问一下 scaling theory说非常乾净的一维/二维系统成为绝缘体的原因，可以 说是回原点的建设性干涉(weak localization)吗? --

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