作者newwrite (jikk)
看板Physics
標題[問題] 空乏區及電場線的問題
時間Fri Sep 23 00:46:43 2016
【出處】空乏區
【瓶頸】
1.在PN接面，不論順偏逆偏都必須假設空乏區電流為定值
但是為何是定值?
順偏時空乏區載子濃度分布是位置的指數函數，
電場也是位置的函數，沒有復合電流，
電子電洞流總括應不是定值，應是位置的函數
逆偏時亦然。
2. MOS電晶體在drain加偏壓時，
夾止區內電場為何是定值，不隨VDS及橫軸座標改變，
夾止區內不也是空乏區嗎?
3. 一般Bipolar的P-ISO是用逆偏空乏區擋住載子跑到其他元件
但空乏區還是會漏電(有小電流)，那不是隔絕效果差?
4. 一般PN接面圓柱形分布都會有空乏區電場線擁擠的狀況
但為何電場線擁擠容易造成漏電(產生複合電流變大)，是何種物理機制?
請教各位，謝謝
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1F：→ speedshuffle: 你確定空乏區電場是位置的函數？ 09/24 01:00
2F：→ speedshuffle: 無論順偏或是逆偏 空乏區電位都是線性的啊 09/24 01:02
3F：→ wohtp: 我記得設電流為定值是因為我們只想算steady state 09/24 02:25
4F：→ wohtp: 喔你是說會不會隨位置變化啊，那當然也不可以啊 09/24 02:26
5F：→ wohtp: 電流不均勻 --> 電荷累積 --> 電場隨時間改變 --> 電流隨 09/24 02:28
6F：→ wohtp: 時間改變 09/24 02:28