作者newwrite (jikk)
看板Physics
标题[问题] 空乏区及电场线的问题
时间Fri Sep 23 00:46:43 2016
【出处】空乏区
【瓶颈】
1.在PN接面，不论顺偏逆偏都必须假设空乏区电流为定值
但是为何是定值?
顺偏时空乏区载子浓度分布是位置的指数函数，
电场也是位置的函数，没有复合电流，
电子电洞流总括应不是定值，应是位置的函数
逆偏时亦然。
2. MOS电晶体在drain加偏压时，
夹止区内电场为何是定值，不随VDS及横轴座标改变，
夹止区内不也是空乏区吗?
3. 一般Bipolar的P-ISO是用逆偏空乏区挡住载子跑到其他元件
但空乏区还是会漏电(有小电流)，那不是隔绝效果差?
4. 一般PN接面圆柱形分布都会有空乏区电场线拥挤的状况
但为何电场线拥挤容易造成漏电(产生复合电流变大)，是何种物理机制?
请教各位，谢谢
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1F：→ speedshuffle: 你确定空乏区电场是位置的函数？ 09/24 01:00
2F：→ speedshuffle: 无论顺偏或是逆偏 空乏区电位都是线性的啊 09/24 01:02
3F：→ wohtp: 我记得设电流为定值是因为我们只想算steady state 09/24 02:25
4F：→ wohtp: 喔你是说会不会随位置变化啊，那当然也不可以啊 09/24 02:26
5F：→ wohtp: 电流不均匀 --> 电荷累积 --> 电场随时间改变 --> 电流随 09/24 02:28
6F：→ wohtp: 时间改变 09/24 02:28