作者bear100 (bear)
看板Physics
標題[問題] 不同濃度的同型半導體接觸
時間Mon Jul 23 22:13:52 2012
小弟不才
想請問板上比較懂半導體的板友
一般來說p n型的半導體接觸後會有空乏區產生
其能帶圖是以fermi level作為水平基準畫出類似階梯的圖形
那如果是不同濃度的n型半導體相接呢?
依照上述方法還是能畫出類似圖形
但是中間會有電場吧?如果有的話是要用兩邊濃度差計算有電場的寬度嗎?
還是說根本不該畫出這樣的圖形?
謝謝大家指教
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◆ From: 140.115.41.167
※ 編輯: bear100 來自: 140.115.41.167 (07/23 22:23)
1F：→ NORAMN:一樣會有 07/25 15:25
2F：推 deepwoody:對於不同doping的區域 fermi level位置也就不同 07/25 19:29
3F：→ deepwoody:所以熱平衡的時候能帶也會彎曲 有電場 07/25 19:29
4F：→ nevinyrrals:還是會有能帶彎曲 但是通常會呈現類似歐姆接觸的型態 07/25 20:14
5F：→ nevinyrrals:不會出現整流的效果 07/25 20:15
6F：→ bear100:感謝n大的回答 但是我的重點不在整流，想知道的是電場區 07/25 21:07
7F：→ bear100:的長度該如何得知 謝謝指教 07/25 21:08