作者bear100 (bear)
看板Physics
标题[问题] 不同浓度的同型半导体接触
时间Mon Jul 23 22:13:52 2012
小弟不才
想请问板上比较懂半导体的板友
一般来说p n型的半导体接触後会有空乏区产生
其能带图是以fermi level作为水平基准画出类似阶梯的图形
那如果是不同浓度的n型半导体相接呢?
依照上述方法还是能画出类似图形
但是中间会有电场吧?如果有的话是要用两边浓度差计算有电场的宽度吗?
还是说根本不该画出这样的图形?
谢谢大家指教
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 140.115.41.167
※ 编辑: bear100 来自: 140.115.41.167 (07/23 22:23)
1F：→ NORAMN:一样会有 07/25 15:25
2F：推 deepwoody:对於不同doping的区域 fermi level位置也就不同 07/25 19:29
3F：→ deepwoody:所以热平衡的时候能带也会弯曲 有电场 07/25 19:29
4F：→ nevinyrrals:还是会有能带弯曲 但是通常会呈现类似欧姆接触的型态 07/25 20:14
5F：→ nevinyrrals:不会出现整流的效果 07/25 20:15
6F：→ bear100:感谢n大的回答 但是我的重点不在整流，想知道的是电场区 07/25 21:07
7F：→ bear100:的长度该如何得知 谢谢指教 07/25 21:08