※ 引述《andy760411 (氣度才是最重要滴)》之銘言： : ※ 引述《huges0111 (okok)》之銘言： : : 你所說的Fermi level定義是指溫度在0 K的時候 : : 在不是0 K時，Fermi level是指在此位置找到電子的機率是0.5 : : 雖然在gap中不會有電子存在 : : 不過因為半導體不會是純的，有intrinsic carrier concentration : : 所以即使在沒有doping的情形下，conduction band也會有電子存在(雖然很少) : : 這樣一來, fermi level就會移到gap中 : : 要找fermi level,照定義即可 : : n=1/[1-exp((E-f)/kT)] : 想請問一下... : 因為還是有些不太了解: : (1)在0K時，就intrinsic Si而言， : 電子最高不是填到"價帶"的頂端嗎? : 在大於0K後，會有部份電子跑到傳導帶。 : (2)如果說EF是指0K時，電子可填入的最高能階， : 那不就有部份電子的能量，是坐落於Eg裡面(i.e. VB<電子能量<EF)?? : 希望強者能幫小弟解惑，感恩!!! 在我印象裡面 固態物理對Fermi energy有定義是在0K之下電子排到最高能階的能量 但是大於0K的Fermi energy其實嚴格上來說應該是Chemical potentail 對Chemical potentail來說這是一種由Fermi statistic來的概念 應該沒有最高能量電子所站能階的意思 --

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