※ 引述《andy760411 (气度才是最重要滴)》之铭言： : ※ 引述《huges0111 (okok)》之铭言： : : 你所说的Fermi level定义是指温度在0 K的时候 : : 在不是0 K时，Fermi level是指在此位置找到电子的机率是0.5 : : 虽然在gap中不会有电子存在 : : 不过因为半导体不会是纯的，有intrinsic carrier concentration : : 所以即使在没有doping的情形下，conduction band也会有电子存在(虽然很少) : : 这样一来, fermi level就会移到gap中 : : 要找fermi level,照定义即可 : : n=1/[1-exp((E-f)/kT)] : 想请问一下... : 因为还是有些不太了解: : (1)在0K时，就intrinsic Si而言， : 电子最高不是填到"价带"的顶端吗? : 在大於0K後，会有部份电子跑到传导带。 : (2)如果说EF是指0K时，电子可填入的最高能阶， : 那不就有部份电子的能量，是坐落於Eg里面(i.e. VB<电子能量<EF)?? : 希望强者能帮小弟解惑，感恩!!! 在我印象里面 固态物理对Fermi energy有定义是在0K之下电子排到最高能阶的能量 但是大於0K的Fermi energy其实严格上来说应该是Chemical potentail 对Chemical potentail来说这是一种由Fermi statistic来的概念 应该没有最高能量电子所站能阶的意思 --

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