作者h816090 (～Argon～)
看板Physics
標題[問題] 半導體物理與工程
時間Fri Apr 9 00:31:45 2010
有三個關於半導體的問題想要請教一下
1. 拿pn junction去做solar cell，照光去打~產生電子電洞對
拉出來產生電流
那如果加熱~溫度很高~一樣會產生電子電洞對~為什麼量不到電流呢?
都有pn junction~為什麼加熱這個方法卻行不通呢?
2. 不管是蒸鍍鋁或是e-gun鍍金或銀
為什麼看的是融點~而不是沸點呢? 不是要使金屬揮發成氣體~在去鍍嗎?
怎麼大家都是在談融點呢?><"
3. 在蝕刻時~(111)面速度比(110)面慢~可是為什麼面原子密度卻是
(110)面比較大呢?~照理說面原子密度大的~蝕刻速度慢~這點沒錯吧?><"
算原子密度不是正好可以去判斷蝕刻時的快慢嗎? 謝謝
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◆ From: 61.231.150.43
1F：→ yeahbo:室溫對應到的能量才0.025eV，要有1eV需要12000K，材料早就 04/09 00:58
2F：→ yeahbo:蒸發了... XD 04/09 00:59
3F：→ yeahbo:蒸鍍時如果是到達沸點，鈀材不就一口氣噴上去了？ 04/09 01:01
4F：→ yeahbo:金屬融化時會有蒸氣壓，這樣才好控制鍍率吧... 04/09 01:02
5F：→ yeahbo:蝕刻速率應該不只是看原子密度吧... 還要看那個方向的鍵結 04/09 01:03