作者h816090 (～Argon～)
看板Physics
标题[问题] 半导体物理与工程
时间Fri Apr 9 00:31:45 2010
有三个关於半导体的问题想要请教一下
1. 拿pn junction去做solar cell，照光去打~产生电子电洞对
拉出来产生电流
那如果加热~温度很高~一样会产生电子电洞对~为什麽量不到电流呢?
都有pn junction~为什麽加热这个方法却行不通呢?
2. 不管是蒸镀铝或是e-gun镀金或银
为什麽看的是融点~而不是沸点呢? 不是要使金属挥发成气体~在去镀吗?
怎麽大家都是在谈融点呢?><"
3. 在蚀刻时~(111)面速度比(110)面慢~可是为什麽面原子密度却是
(110)面比较大呢?~照理说面原子密度大的~蚀刻速度慢~这点没错吧?><"
算原子密度不是正好可以去判断蚀刻时的快慢吗? 谢谢
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◆ From: 61.231.150.43
1F：→ yeahbo:室温对应到的能量才0.025eV，要有1eV需要12000K，材料早就 04/09 00:58
2F：→ yeahbo:蒸发了... XD 04/09 00:59
3F：→ yeahbo:蒸镀时如果是到达沸点，钯材不就一口气喷上去了？ 04/09 01:01
4F：→ yeahbo:金属融化时会有蒸气压，这样才好控制镀率吧... 04/09 01:02
5F：→ yeahbo:蚀刻速率应该不只是看原子密度吧... 还要看那个方向的键结 04/09 01:03