作者carman (距離的美感)
看板Physics
標題[問題]GaN材料問題
時間Sat Feb 20 09:39:45 2010
前幾天上課時,聽老師說一般在GaAs基板上上defect 量在10^2 (cm^-2)
可宣稱是defect free,但在GaN基板上defect 量在10^6 (cm^-2)
就可宣稱是defect free
不過我印象中文獻上已有在GaN相關材料上做出可見光的雷射和VCSEL
請問在材料上的選擇或設計上有何特別的地方呢?
就是如何降低或阻擋這些defect的延伸?
謝謝!
ps.會有醬的疑問是,我有看過文獻也有人嘗試把GaAs長在silicon的基板上
即使做了許多處理defect density的量還是在10的6-7的次方
所以只有極少數上的人做出雷射...且特性都不佳或生命期也很短
所以想了解在GaN上是怎麼做到的?謝謝!
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◆ From: 68.42.78.250
1F：→ yeahbo:GaN最神奇的就是defect這麼多，發光效率還是很好，至今仍 02/20 10:52
2F：→ yeahbo:無人能提出解釋... 02/20 10:52
3F：推 huges0111:Gain大吧... 02/20 12:08
4F：推 Keelungman:另外 GaN 的高度方向性可能也局限 defect 分布 02/20 15:30
5F：推 ntust661:人騎的GaN 02/21 00:46
6F：→ ntust661:神奇的GaN = = 02/21 00:46
7F：推 MrCafe:原來GaN不但會發光還可以騎 02/23 17:18