作者carman (距离的美感)
看板Physics
标题[问题]GaN材料问题
时间Sat Feb 20 09:39:45 2010
前几天上课时,听老师说一般在GaAs基板上上defect 量在10^2 (cm^-2)
可宣称是defect free,但在GaN基板上defect 量在10^6 (cm^-2)
就可宣称是defect free
不过我印象中文献上已有在GaN相关材料上做出可见光的雷射和VCSEL
请问在材料上的选择或设计上有何特别的地方呢?
就是如何降低或阻挡这些defect的延伸?
谢谢!
ps.会有酱的疑问是,我有看过文献也有人尝试把GaAs长在silicon的基板上
即使做了许多处理defect density的量还是在10的6-7的次方
所以只有极少数上的人做出雷射...且特性都不佳或生命期也很短
所以想了解在GaN上是怎麽做到的?谢谢!
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◆ From: 68.42.78.250
1F：→ yeahbo:GaN最神奇的就是defect这麽多，发光效率还是很好，至今仍 02/20 10:52
2F：→ yeahbo:无人能提出解释... 02/20 10:52
3F：推 huges0111:Gain大吧... 02/20 12:08
4F：推 Keelungman:另外 GaN 的高度方向性可能也局限 defect 分布 02/20 15:30
5F：推 ntust661:人骑的GaN 02/21 00:46
6F：→ ntust661:神奇的GaN = = 02/21 00:46
7F：推 MrCafe:原来GaN不但会发光还可以骑 02/23 17:18