※ 引述《APE36 (PT鄉民)》之銘言： : 將所處物理環境完全相同皆為電中性且原本分離的p型矽及n型矽直接緊密接在一起，則 : (a)一開始會有電流由n型矽流向p型矽 : (b)一開始流動的電流大部份是由雙方的少數載子移動所造成 : (c)平衡後p型矽內電洞數目會較平衡前為多 : (d)以上皆非 : ans:D : 不解電中性的題目，電中性的話是電流達平衡，P流向N、N流向P?沒有所謂的當方面流向? : b及c的答案更是不解 接觸前.. 設Na(0-)為N側的施體(可移動電子)參雜密度.. Nb(0-)為P側的受體(可移動電洞)參雜密度.. Ni為純質矽的施體密度.. 根據fisk's first law 設單位截面單位時間密度流出量為J，D是擴散參數..則接觸瞬間 Ja(0-) = - D*▽Na(0-) Jb(0-) = - D*▽Nb(0-) 可以看出有電流產生..電流方向為P測流向N側..P側的受體數目會減少.. 右P側的總電洞數目 = P側的不可移動電動數目 + P側的受體數目 所以P側的總電洞數目將會減少.. 到達熱平衡狀態時.. 設Na(x)為x處的施體參雜密度..Nb(x)為x處的受體參雜密度.. k為boltzmann constant..T為絕對溫度..V為平衡後和參雜前的狀態能量(電位能)差值.. 根據arrhenius equation Na(x)*Nb(x)/Ni^2 = e^[-V(x)/(k*T)] V(x) = -k*T*ln[Na(x)*Nb(x)/Ni^2] 通常在交界處附近δN/δx值很大.. 因此一般的處理方式是將N(x)函數簡化成步級不連續函數來處理.. --

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