※ 引述《APE36 (PT乡民)》之铭言： : 将所处物理环境完全相同皆为电中性且原本分离的p型矽及n型矽直接紧密接在一起，则 : (a)一开始会有电流由n型矽流向p型矽 : (b)一开始流动的电流大部份是由双方的少数载子移动所造成 : (c)平衡後p型矽内电洞数目会较平衡前为多 : (d)以上皆非 : ans:D : 不解电中性的题目，电中性的话是电流达平衡，P流向N、N流向P?没有所谓的当方面流向? : b及c的答案更是不解 接触前.. 设Na(0-)为N侧的施体(可移动电子)参杂密度.. Nb(0-)为P侧的受体(可移动电洞)参杂密度.. Ni为纯质矽的施体密度.. 根据fisk's first law 设单位截面单位时间密度流出量为J，D是扩散参数..则接触瞬间 Ja(0-) = - D*▽Na(0-) Jb(0-) = - D*▽Nb(0-) 可以看出有电流产生..电流方向为P测流向N侧..P侧的受体数目会减少.. 右P侧的总电洞数目 = P侧的不可移动电动数目 + P侧的受体数目 所以P侧的总电洞数目将会减少.. 到达热平衡状态时.. 设Na(x)为x处的施体参杂密度..Nb(x)为x处的受体参杂密度.. k为boltzmann constant..T为绝对温度..V为平衡後和参杂前的状态能量(电位能)差值.. 根据arrhenius equation Na(x)*Nb(x)/Ni^2 = e^[-V(x)/(k*T)] V(x) = -k*T*ln[Na(x)*Nb(x)/Ni^2] 通常在交界处附近δN/δx值很大.. 因此一般的处理方式是将N(x)函数简化成步级不连续函数来处理.. --

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