※ 引述《bmwfisher (大腸直長長)》之銘言： : ※ [本文轉錄自 Electronics 看板] : 作者: bmwfisher (大腸直長長) 站內: Electronics : 標題: [問題] 奈米科技展之主題 : 時間: Sat Sep 12 23:42:27 2009 : 各位好~想請問各位專有名詞 這樣翻是否正確 以及資訊是否正確~謝謝 : 以下是科展的主題~請各位幫忙~謝謝 : -------------------------------------------- : 1.郭瑞年主任 (國立清華大學/物理系) : Realization of Ge and III-V MOSFET beyond Si CMOS : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : 以上我翻為：了解 元素"鍺"與第V-III族元素之MOSFET運用於Si CMOS製程 應該是”實現”(自動控制與系統專門術語)， 在Si CMOS以外實現鍺與V-III族(化合物)的MOSFET : 解釋為：用Ge以及第V-III元素做MOSFET(金氧半場效電晶體)來用在積體電路製程上 III-V是三五族材料，週期表IIIA族(硼鋁鎵銦鉈)與VA族(氮磷砷銻鉍)的化合物 : 問題： : 1.為什麼III-V要反過來寫? 不需要反過來，都是一樣的意思 : 2.CMOS前面為何要加Si(矽?)，是特地要指定矽晶圓? 是的，因為CMOS也可以不在矽晶圓上面做。 : 3.MOSFET是算是一種方法? 而CMOS是一種完整製程? 不能這樣分， MOSFET是以物理原理來區分的元件種類(含NMOS,PMOS,CMOS...等等)， CMOS是MOSFET類別中的一種設計方式，把一對N-與P-電晶體合成一個元件。 : 2.劉致為教授 (國立臺灣大學/電子工程學研究所) : High Mobility Technologies and Physics : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : 翻為：高流動性之技術與其物理特性 高漂移率(遷移率) : 解釋為：查了這位教授的研究領域 : {應變矽／high K／金屬閘．積體SiGe/Si OEIC和PA．CMOS光電元件．MOS可靠度．SOI技術 : 問題： : 1.什麼流動性技術?是說電子間的流動? 高遷移率技術，是指載子(電子或電洞)受到電場加速以後速度比較快的技術， 穩態速度=漂移率*施加給載子的電場 : 3.徐嘉鴻副研究員 (國家同步輻射研究中心) : Structural Characteristics of Nano-thick High-k Dielectrics : Grown on Semiconductors : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : 翻為：奈米級厚度的高介電材料之結構特性對半導體的影響 應該翻譯成”成長在半體體上的”奈米級厚度的高介電材料之結構特性 : 解譯為：就是要探討奈米厚度的半導體介電材料 : 問題： : 1.Grown on是翻成影響還是磊晶呢? grow一般翻譯為成長，廣義上可以包含磊晶以外的方法， 如Micro-pulling-down，再結晶等等。 磊晶是epitaxy，把一種晶格材料長在另一種晶格材料上。 : 2.Nani-thick應該是指厚度吧~或是其他意思? 是的，Nano-thick指薄膜厚度 : 3.所以這材料如果以厚度來說，它是粒子or膜or? 應用上是”膜”。 他的單體仍然是粒子，你不需要幫他們做非此即彼的二分。 : 4.謝光宇 處長 (旺宏電子股份有限公司奈米科技研發中心) : The Challenge and Recent Development of Non-Volatile Memory : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : 翻為：挑戰並創新非揮發性記憶體 : 解釋為：旺宏是一家半導體商，所以要展示新型非揮發記憶體 : 問題： : 非揮發性記憶體(Non-volatile memory)是指即使電源供應中斷，記憶體所儲存的資料 : 並不會消失，重新供電後，就能夠讀取內存資料的記憶體 : 1.快閃隨身碟就是此類型，想問的是一般桌機用的DDR-RAM : 是(volatile)類的，不是(Non-volatile)沒錯吧?-- 既然是RAM，就是volatile : 2.目前non-volatile多用於MP3隨身聽，FLASH記憶體等隨身攜帶之產品是嗎? 是的，另外硬碟，光碟等等也是non-volatile memory : 5.邱雅萍助理教授 (國立中山大學/物理系) : Direct Observation of interface structure in epitaxial Gd2O3 on GaAs(100) : by STM : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : 翻為：用STM直接研究Gd2O3(氧化釓)附在GaAs(砷化鎵?)上之介面結構 : 問題： : 1.STM是指掃描穿遂電子顯微鏡(scanning tunneling microscope) 是的 : 2.GaAs(100)中的100是指?? 向量? 晶格位置? 方向。 (100)是對應GaAs晶格三個座標軸的第一個座標軸上， 掃描穿隧電子顯微鏡的電子往第一個座標軸上打過去 : 3.這可能是材料的問題，物理系也有做這一類研究的主要研究導向是? STM是用來觀察結構的重要方式，很多領域差異極大的研究都可以用這個觀察工具。 1986年STM發明者因此獲得諾貝爾獎，這個方法應用很廣。 : 6.黃懋霖博士 (國立清華大學/材料科學工程學系) : Atomic layer deposited high k on InGaAs: surface passivation : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : 翻為：原子層沉積(磊晶)於高相對介電係數之InGaAs(銦鎵砷?)上做為保護層 : OR : 在InGaAs上沉積高介電材料原子層以做保護層(表面鈍化) : 問題： : 1.InGaAs是指元素還是這是一個專有名詞? 砷化銦鎵化合物：In(x)Ga(1-x)As : 2.high k也是高介電材料的意思? 是的， ε=κ*ε0 -- 魚防水，無法呼吸啊...... --

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