※ 引述《bmwfisher (大肠直长长)》之铭言： : ※ [本文转录自 Electronics 看板] : 作者: bmwfisher (大肠直长长) 站内: Electronics : 标题: [问题] 奈米科技展之主题 : 时间: Sat Sep 12 23:42:27 2009 : 各位好~想请问各位专有名词 这样翻是否正确 以及资讯是否正确~谢谢 : 以下是科展的主题~请各位帮忙~谢谢 : -------------------------------------------- : 1.郭瑞年主任 (国立清华大学/物理系) : Realization of Ge and III-V MOSFET beyond Si CMOS : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : 以上我翻为：了解 元素"锗"与第V-III族元素之MOSFET运用於Si CMOS制程 应该是”实现”(自动控制与系统专门术语)， 在Si CMOS以外实现锗与V-III族(化合物)的MOSFET : 解释为：用Ge以及第V-III元素做MOSFET(金氧半场效电晶体)来用在积体电路制程上 III-V是三五族材料，周期表IIIA族(硼铝镓铟铊)与VA族(氮磷砷锑铋)的化合物 : 问题： : 1.为什麽III-V要反过来写? 不需要反过来，都是一样的意思 : 2.CMOS前面为何要加Si(矽?)，是特地要指定矽晶圆? 是的，因为CMOS也可以不在矽晶圆上面做。 : 3.MOSFET是算是一种方法? 而CMOS是一种完整制程? 不能这样分， MOSFET是以物理原理来区分的元件种类(含NMOS,PMOS,CMOS...等等)， CMOS是MOSFET类别中的一种设计方式，把一对N-与P-电晶体合成一个元件。 : 2.刘致为教授 (国立台湾大学/电子工程学研究所) : High Mobility Technologies and Physics : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : 翻为：高流动性之技术与其物理特性 高漂移率(迁移率) : 解释为：查了这位教授的研究领域 : {应变矽／high K／金属闸．积体SiGe/Si OEIC和PA．CMOS光电元件．MOS可靠度．SOI技术 : 问题： : 1.什麽流动性技术?是说电子间的流动? 高迁移率技术，是指载子(电子或电洞)受到电场加速以後速度比较快的技术， 稳态速度=漂移率*施加给载子的电场 : 3.徐嘉鸿副研究员 (国家同步辐射研究中心) : Structural Characteristics of Nano-thick High-k Dielectrics : Grown on Semiconductors : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : 翻为：奈米级厚度的高介电材料之结构特性对半导体的影响 应该翻译成”成长在半体体上的”奈米级厚度的高介电材料之结构特性 : 解译为：就是要探讨奈米厚度的半导体介电材料 : 问题： : 1.Grown on是翻成影响还是磊晶呢? grow一般翻译为成长，广义上可以包含磊晶以外的方法， 如Micro-pulling-down，再结晶等等。 磊晶是epitaxy，把一种晶格材料长在另一种晶格材料上。 : 2.Nani-thick应该是指厚度吧~或是其他意思? 是的，Nano-thick指薄膜厚度 : 3.所以这材料如果以厚度来说，它是粒子or膜or? 应用上是”膜”。 他的单体仍然是粒子，你不需要帮他们做非此即彼的二分。 : 4.谢光宇 处长 (旺宏电子股份有限公司奈米科技研发中心) : The Challenge and Recent Development of Non-Volatile Memory : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : 翻为：挑战并创新非挥发性记忆体 : 解释为：旺宏是一家半导体商，所以要展示新型非挥发记忆体 : 问题： : 非挥发性记忆体(Non-volatile memory)是指即使电源供应中断，记忆体所储存的资料 : 并不会消失，重新供电後，就能够读取内存资料的记忆体 : 1.快闪随身碟就是此类型，想问的是一般桌机用的DDR-RAM : 是(volatile)类的，不是(Non-volatile)没错吧?-- 既然是RAM，就是volatile : 2.目前non-volatile多用於MP3随身听，FLASH记忆体等随身携带之产品是吗? 是的，另外硬碟，光碟等等也是non-volatile memory : 5.邱雅萍助理教授 (国立中山大学/物理系) : Direct Observation of interface structure in epitaxial Gd2O3 on GaAs(100) : by STM : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : 翻为：用STM直接研究Gd2O3(氧化钆)附在GaAs(砷化镓?)上之介面结构 : 问题： : 1.STM是指扫描穿遂电子显微镜(scanning tunneling microscope) 是的 : 2.GaAs(100)中的100是指?? 向量? 晶格位置? 方向。 (100)是对应GaAs晶格三个座标轴的第一个座标轴上， 扫描穿隧电子显微镜的电子往第一个座标轴上打过去 : 3.这可能是材料的问题，物理系也有做这一类研究的主要研究导向是? STM是用来观察结构的重要方式，很多领域差异极大的研究都可以用这个观察工具。 1986年STM发明者因此获得诺贝尔奖，这个方法应用很广。 : 6.黄懋霖博士 (国立清华大学/材料科学工程学系) : Atomic layer deposited high k on InGaAs: surface passivation : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : 翻为：原子层沉积(磊晶)於高相对介电系数之InGaAs(铟镓砷?)上做为保护层 : OR : 在InGaAs上沉积高介电材料原子层以做保护层(表面钝化) : 问题： : 1.InGaAs是指元素还是这是一个专有名词? 砷化铟镓化合物：In(x)Ga(1-x)As : 2.high k也是高介电材料的意思? 是的， ε=κ*ε0 -- 鱼防水，无法呼吸啊...... --

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