作者h816090 (～Do or not do～)
看板Physics
標題[問題] 半導體energy gap
時間Fri Mar 6 19:54:05 2009
想問一下半導體energy gap與溫度之關係....
老師上課是說溫度越高...熱能越大...gap越小...
總覺得怪怪的...
以前看一本書是說溫度升高....熱能增加....
晶格熱振動導致載子不易往上跳??
溫度和gap有絕對關係嗎?? 謝謝
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◆ From: 61.224.78.234
1F：推 yenzhi:跟物質本身有關,半導體的conduction band很空,但金屬就很滿 03/06 21:50
2F：→ h816090:所以跟溫度沒有絕對關係嘛? 謝謝 03/06 22:39
3F：推 sixth:Si 4K 1.17(NP) 300K 1.2X(TO) 03/07 00:19
4F：→ chungweitw:有關吧. 溫度越高, lattice const. 越高, gap越小 03/07 00:46
5F：→ chungweitw:electron-phonon interaction 也會造成energy level 03/07 00:47
6F：→ chungweitw:shifted.. 03/07 00:47
7F：→ chungweitw:sorry..我不知道 lattice const 變大的話, gap 會如何 03/07 02:01
8F：→ chungweitw:變. 我只知道band width 會變窄. 03/07 02:01
9F：推 huges0111:的確是lattice constant因溫度升高變大，導致bandgap變 03/07 11:31
10F：→ huges0111:小，要怎麼算可以參它狻T態物理的書 03/07 11:32
11F：→ h816090:lattice constant 變大 gap變小?@@感覺沒什麼關聯@@ 03/07 17:52
12F：→ h816090:固態物理嗎? 謝謝 03/07 17:52
13F：推 sputtering:E_T=E_0-αT^2/(T+β),for Si,Ge(大施敏CH.1) 03/07 18:20
14F：→ sputtering:一般來說溫度升高能隙變小是對的 03/07 18:23
15F：→ h816090:謝謝喔 我會去翻翻他的書 03/07 19:34