作者h816090 (～Do or not do～)
看板Physics
标题[问题] 半导体energy gap
时间Fri Mar 6 19:54:05 2009
想问一下半导体energy gap与温度之关系....
老师上课是说温度越高...热能越大...gap越小...
总觉得怪怪的...
以前看一本书是说温度升高....热能增加....
晶格热振动导致载子不易往上跳??
温度和gap有绝对关系吗?? 谢谢
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◆ From: 61.224.78.234
1F：推 yenzhi:跟物质本身有关,半导体的conduction band很空,但金属就很满 03/06 21:50
2F：→ h816090:所以跟温度没有绝对关系嘛? 谢谢 03/06 22:39
3F：推 sixth:Si 4K 1.17(NP) 300K 1.2X(TO) 03/07 00:19
4F：→ chungweitw:有关吧. 温度越高, lattice const. 越高, gap越小 03/07 00:46
5F：→ chungweitw:electron-phonon interaction 也会造成energy level 03/07 00:47
6F：→ chungweitw:shifted.. 03/07 00:47
7F：→ chungweitw:sorry..我不知道 lattice const 变大的话, gap 会如何 03/07 02:01
8F：→ chungweitw:变. 我只知道band width 会变窄. 03/07 02:01
9F：推 huges0111:的确是lattice constant因温度升高变大，导致bandgap变 03/07 11:31
10F：→ huges0111:小，要怎麽算可以参它狻T态物理的书 03/07 11:32
11F：→ h816090:lattice constant 变大 gap变小?@@感觉没什麽关联@@ 03/07 17:52
12F：→ h816090:固态物理吗? 谢谢 03/07 17:52
13F：推 sputtering:E_T=E_0-αT^2/(T+β),for Si,Ge(大施敏CH.1) 03/07 18:20
14F：→ sputtering:一般来说温度升高能隙变小是对的 03/07 18:23
15F：→ h816090:谢谢喔 我会去翻翻他的书 03/07 19:34