大家好, 有一點基本的固態物理問題想請教m(_ _)m, 謝謝您撥冗觀看 1. K與G的關係 (向量符號省略) 常見的 E versus K band structure 圖形,舉例來說K軸用K=[111] direction, 此時可用各式各樣的G(ex:000 010 011...)將超過1st Brillouin zone之範圍 平移進1st Brillouin zone. K 與 G空間相關性為何呢? 因3D的1st Brillouin zone各方向以reciprocal lattice G = v1B1 + v2B2 + v3B3表示 ex: Sigma(原點)-delta-X(希臘字母打不出來),也可看見縱座標為 E ,橫坐 標為希臘字母(reciprocal lattice中的位置代碼)的band structure, ex:Kz與"Sigma(原點)-delta-X"是重疊的 這只是恰巧所繪的K與G是同方向嗎? (ex: Kittel 7th 217頁) 如是,又為何可將各種方向的G平移向量都作用在單一方向的K呢? 是投影 的概念嗎? (ex: Kittel 7th 189頁) 2. Electron effective mass in Silicon 使用在Density of state的 effective mass為 6^(2/3) X (mL mT^2)^(1/3) 其中(mL mT^2)^(1/3)是 mL mT 的幾何平均,6可想成六個energy valley的貢獻 但 (2/3)又是何意義呢? 使用在Conductivity的 effective mass為 (1/3) X [(1/mL)+(2/mT)] (1/3) X [(1/mL)+(2/mT)]是 mL mT 的調和平均 但六個energy valley的貢獻 又到哪去了? 3. 請問Ge的Density of state和Conductivity的 effective mass公是可到哪邊 找呢?想驗證八個energy valley如何構成effective mass(暫時沒有找到) 謝謝您的指導m(_ _)m --

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