大家好, 有一点基本的固态物理问题想请教m(_ _)m, 谢谢您拨冗观看 1. K与G的关系 (向量符号省略) 常见的 E versus K band structure 图形,举例来说K轴用K=[111] direction, 此时可用各式各样的G(ex:000 010 011...)将超过1st Brillouin zone之范围 平移进1st Brillouin zone. K 与 G空间相关性为何呢? 因3D的1st Brillouin zone各方向以reciprocal lattice G = v1B1 + v2B2 + v3B3表示 ex: Sigma(原点)-delta-X(希腊字母打不出来),也可看见纵座标为 E ,横坐 标为希腊字母(reciprocal lattice中的位置代码)的band structure, ex:Kz与"Sigma(原点)-delta-X"是重叠的 这只是恰巧所绘的K与G是同方向吗? (ex: Kittel 7th 217页) 如是,又为何可将各种方向的G平移向量都作用在单一方向的K呢? 是投影 的概念吗? (ex: Kittel 7th 189页) 2. Electron effective mass in Silicon 使用在Density of state的 effective mass为 6^(2/3) X (mL mT^2)^(1/3) 其中(mL mT^2)^(1/3)是 mL mT 的几何平均,6可想成六个energy valley的贡献 但 (2/3)又是何意义呢? 使用在Conductivity的 effective mass为 (1/3) X [(1/mL)+(2/mT)] (1/3) X [(1/mL)+(2/mT)]是 mL mT 的调和平均 但六个energy valley的贡献 又到哪去了? 3. 请问Ge的Density of state和Conductivity的 effective mass公是可到哪边 找呢?想验证八个energy valley如何构成effective mass(暂时没有找到) 谢谢您的指导m(_ _)m --

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