作者anderow (小尾物語)
看板Physics
標題[問題] 為何製程溫度會影響 Oxiod Film 的蝕刻速率 ?!
時間Fri Oct 31 13:36:20 2008
使用 Ar pre-clean 方式
相同的 Chamber , 相同的 Recipe 設定
唯一不一樣的是 Etch Time
Oxiod Film 的 Etch rate 會逐漸變慢
請問誰可以解釋這種現象的機制 ?!
※ 編輯: anderow 來自: 218.172.106.17 (10/31 13:38)
1F：→ NTNU5566:oxoid film? 10/31 16:14
2F：推 sixth:請樓下 MODULE 為你解答... 10/31 17:01
3F：→ anderow:SiO2 10/31 17:19
4F：推 sixth:Ar+濃度 又不是PM完後 會一職維持一樣 11/01 16:41