作者anderow (小尾物语)
看板Physics
标题[问题] 为何制程温度会影响 Oxiod Film 的蚀刻速率 ?!
时间Fri Oct 31 13:36:20 2008
使用 Ar pre-clean 方式
相同的 Chamber , 相同的 Recipe 设定
唯一不一样的是 Etch Time
Oxiod Film 的 Etch rate 会逐渐变慢
请问谁可以解释这种现象的机制 ?!
※ 编辑: anderow 来自: 218.172.106.17 (10/31 13:38)
1F：→ NTNU5566:oxoid film? 10/31 16:14
2F：推 sixth:请楼下 MODULE 为你解答... 10/31 17:01
3F：→ anderow:SiO2 10/31 17:19
4F：推 sixth:Ar+浓度 又不是PM完後 会一职维持一样 11/01 16:41