※ 引述《wqert (衝衝衝)》之銘言： : ※ 引述《Yangbin (Yangbin)》之銘言： : : 但是空乏區不是因為"缺乏可移動載子"才謂之空乏區嗎? : : 雖然定性上大概猜還是有啦~~ : 當然有囉. : : 不過有比較定量上的描述嗎?? : 推導二極體一開始有一個假設叫做depletion approximation. : 假設一個空乏區區段，其中carrier濃度低到可以忽略 : 這僅是對於gauss' law來說可以忽略， : 但是carrier (electron/hole) 不為0 : 事實上，除非到0度K， : 否則即使是intrinsic Silicon，也都有非零的carrier濃度存在. : 這些低濃度的carrier有時會扮演關鍵的角色。 : 定量上，在depletion範圍內 : 使用一樣的濃度公式 : Ef - Ei : n = ni* exp(---------) : kT : 只是它的 (Ef -Ei) 沿著depletion region 會一直改變. (看band diagram) ^^^^^^^^^^^ 這是??抱歉~少見多怪= = : 此carrier濃度公式適用平衡條件下的condition。 那麼為何電子濃度是"下降"勒??此外電子濃度下降~根據你提到的mass-action law 電洞濃度應該會上升...那應該會有很大量的淨載子量... 但為什麼空乏區仍是缺乏可移動載子? 此外...低濃度的載子什麼時候重要阿??? 不然感覺上討論沒有實質意義... --

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