※ 引述《wqert (冲冲冲)》之铭言： : ※ 引述《Yangbin (Yangbin)》之铭言： : : 但是空乏区不是因为"缺乏可移动载子"才谓之空乏区吗? : : 虽然定性上大概猜还是有啦~~ : 当然有罗. : : 不过有比较定量上的描述吗?? : 推导二极体一开始有一个假设叫做depletion approximation. : 假设一个空乏区区段，其中carrier浓度低到可以忽略 : 这仅是对於gauss' law来说可以忽略， : 但是carrier (electron/hole) 不为0 : 事实上，除非到0度K， : 否则即使是intrinsic Silicon，也都有非零的carrier浓度存在. : 这些低浓度的carrier有时会扮演关键的角色。 : 定量上，在depletion范围内 : 使用一样的浓度公式 : Ef - Ei : n = ni* exp(---------) : kT : 只是它的 (Ef -Ei) 沿着depletion region 会一直改变. (看band diagram) ^^^^^^^^^^^ 这是??抱歉~少见多怪= = : 此carrier浓度公式适用平衡条件下的condition。 那麽为何电子浓度是"下降"勒??此外电子浓度下降~根据你提到的mass-action law 电洞浓度应该会上升...那应该会有很大量的净载子量... 但为什麽空乏区仍是缺乏可移动载子? 此外...低浓度的载子什麽时候重要阿??? 不然感觉上讨论没有实质意义... --

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