作者MrCafe (哈啦Cafe)
看板Physics
標題[問題] Schottky barrier
時間Thu Jul 3 10:48:59 2008
metal- n type半導體energy band diagram如下
http://www.pixnet.net/photo/mrcafe/94811758
而如果是metal- n type半導體 - metal 則如下
http://www.pixnet.net/photo/mrcafe/94811822
一般在edge因schottky barrier成形的depletion region大約幾個um.
我想問，當中間的n-type半導體變成只有幾個或幾十nm厚時，
那band diagram是不是就變成這樣
http://www.pixnet.net/photo/mrcafe/94811850
如果是，這樣又會有兩個問題，
一是，原來的n-type，現在變成p-type，這樣是否合理？
二是，那原來的fermi level 跑去哪了？
希望有人提供相關可以參考的書或paper，感謝！
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◆ From: 140.109.103.226
1F：推 ggk:這樣是不是會直接tunnel過去啊....純猜測 請高手回答 07/03 12:59
2F：推 sputtering:我認為cb.跟vb.應該變得很sharp或者甚至會split 07/06 00:13