作者MrCafe (哈啦Cafe)
看板Physics
标题[问题] Schottky barrier
时间Thu Jul 3 10:48:59 2008
metal- n type半导体energy band diagram如下
http://www.pixnet.net/photo/mrcafe/94811758
而如果是metal- n type半导体 - metal 则如下
http://www.pixnet.net/photo/mrcafe/94811822
一般在edge因schottky barrier成形的depletion region大约几个um.
我想问，当中间的n-type半导体变成只有几个或几十nm厚时，
那band diagram是不是就变成这样
http://www.pixnet.net/photo/mrcafe/94811850
如果是，这样又会有两个问题，
一是，原来的n-type，现在变成p-type，这样是否合理？
二是，那原来的fermi level 跑去哪了？
希望有人提供相关可以参考的书或paper，感谢！
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◆ From: 140.109.103.226
1F：推 ggk:这样是不是会直接tunnel过去啊....纯猜测 请高手回答 07/03 12:59
2F：推 sputtering:我认为cb.跟vb.应该变得很sharp或者甚至会split 07/06 00:13