這學期修的固態物理要交一份有關於exciton的報告 我們用的是Ashcraft的固態物理課本 想要請問一下課本裡所說在半導體裡面的激子 Frenkel exciton 跟 Mott-Wannier exciton兩種 那跟在量子井裡面的Exciton原理有什麼差別 想要請問一下課本裡所說 localize與否對於影響 local charge density 以及所產生的電子電洞對的能量影響很大 這點我就不太瞭解了 我知道這個電子電洞對就是課本裡所說的激子的能量 E(EX) 另外裡面還有提到 superposing足夠的level造成一個新的wave packet 是不是指在低於conduction band 的地方可以造出個能階讓電子停留 另外想要請問一下一題題目 the3-D excitons(exciton in bulk material) only exist in high purity material and at low Temperature. (1)What is the screening length in Ge with doping level N? screening length 在這邊的意思是什麼 (2) What is the exciton radius of Ge? 這是指exciton 的 Bohr radius嘛? (3) What would be the critical concentration ? for pure Ge, what is the temperatuer at which the intrinsic carrier concentration reaches this value? (ni=8*10^18*exp(-Eg/2kT) m(electron)=0.041m0 m(hh)=0.28m0 m(lh)=0.044m0) 還有這邊出現light lohe 跟 heavy hole 是什麼意思阿? 抱歉很多問題要版上的朋友幫忙解答一下 謝謝 --

※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 125.233.170.212 ※ 編輯: teddy0819 來自: 125.233.170.212 (06/28 22:32)