这学期修的固态物理要交一份有关於exciton的报告 我们用的是Ashcraft的固态物理课本 想要请问一下课本里所说在半导体里面的激子 Frenkel exciton 跟 Mott-Wannier exciton两种 那跟在量子井里面的Exciton原理有什麽差别 想要请问一下课本里所说 localize与否对於影响 local charge density 以及所产生的电子电洞对的能量影响很大 这点我就不太了解了 我知道这个电子电洞对就是课本里所说的激子的能量 E(EX) 另外里面还有提到 superposing足够的level造成一个新的wave packet 是不是指在低於conduction band 的地方可以造出个能阶让电子停留 另外想要请问一下一题题目 the3-D excitons(exciton in bulk material) only exist in high purity material and at low Temperature. (1)What is the screening length in Ge with doping level N? screening length 在这边的意思是什麽 (2) What is the exciton radius of Ge? 这是指exciton 的 Bohr radius嘛? (3) What would be the critical concentration ? for pure Ge, what is the temperatuer at which the intrinsic carrier concentration reaches this value? (ni=8*10^18*exp(-Eg/2kT) m(electron)=0.041m0 m(hh)=0.28m0 m(lh)=0.044m0) 还有这边出现light lohe 跟 heavy hole 是什麽意思阿? 抱歉很多问题要版上的朋友帮忙解答一下 谢谢 --

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