作者ymr (go)
看板Physics
標題[問題] 關於Schottcky barrier
時間Wed May 7 20:01:44 2008
日前在這學期的必修課 Seminar
選報了GIT 材料系王中林老師的paper
裡面有提到所謂的Schottcky barrier
在下對順向偏壓or逆向偏壓下操作的Schottcky barrier
為什麼金屬對n-type半導體
在偏壓操作下似乎看起來半導體的Fermi level 受偏壓的影響較大
而金屬的Fermi level 變動就不大
請問板上的各位先進
謝謝^__^
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如果將字母 A 到 Z 分別編上 1 到 26 的分數，(A=1,B=2...,Z=26)
你的知識(KNOWLEDGE)得到 96 分(11+14+15+23+12+5+4+7+5=96)
你的努力(HARDWORK)也只得到 98 分(8+1+18+4+23+15+18+11=98)
你的態度(ATTITUDE)才是左右你生命的全部(1+20+20+9+20+21+4+5=100
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◆ From: 140.112.185.216
1F：→ amgoy:上禮拜上的課，教授說電子"海"!~丟過去幾個也沒差多少~ 05/07 22:44
2F：→ ymr:請問有更明確的說明方式嗎 05/08 09:50
3F：→ amgoy:偏壓->空乏區變寬or變小 金屬的電子濃度遠大於n-type 05/08 19:50
4F：→ amgoy:所以在偏壓改變下，半導體的fermi level改變較大 05/08 19:51
5F：→ amgoy:我想是這樣 有錯請指正@@! 05/08 19:52