作者ymr (go)
看板Physics
标题[问题] 关於Schottcky barrier
时间Wed May 7 20:01:44 2008
日前在这学期的必修课 Seminar
选报了GIT 材料系王中林老师的paper
里面有提到所谓的Schottcky barrier
在下对顺向偏压or逆向偏压下操作的Schottcky barrier
为什麽金属对n-type半导体
在偏压操作下似乎看起来半导体的Fermi level 受偏压的影响较大
而金属的Fermi level 变动就不大
请问板上的各位先进
谢谢^__^
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如果将字母 A 到 Z 分别编上 1 到 26 的分数，(A=1,B=2...,Z=26)
你的知识(KNOWLEDGE)得到 96 分(11+14+15+23+12+5+4+7+5=96)
你的努力(HARDWORK)也只得到 98 分(8+1+18+4+23+15+18+11=98)
你的态度(ATTITUDE)才是左右你生命的全部(1+20+20+9+20+21+4+5=100
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 140.112.185.216
1F：→ amgoy:上礼拜上的课，教授说电子"海"!~丢过去几个也没差多少~ 05/07 22:44
2F：→ ymr:请问有更明确的说明方式吗 05/08 09:50
3F：→ amgoy:偏压->空乏区变宽or变小 金属的电子浓度远大於n-type 05/08 19:50
4F：→ amgoy:所以在偏压改变下，半导体的fermi level改变较大 05/08 19:51
5F：→ amgoy:我想是这样 有错请指正@@! 05/08 19:52