※ 引述《socu (so cute)》之銘言： : ※ 引述《AyeTemplar (桐思呢喃)》之銘言： : : Silicon 的 indirect bandgap (Χ-band) 是 1.1 eV 沒錯 : : 但 direct bandgap (Γ-band) 是 3.4 eV : : 所以大致來說要 3.4 eV 以上的 UV 光才能有效地激發 pure silicon : : 只有 strained Si 或 Si/Ge 才能讓能帶偏移而降低直接能隙 : 感謝你的回答 我大概了解了 : 其實我的問題不只有半導體 : 很多能階差不都是1電子伏特嗎 : 那有可見光的地方應該容易就居量反置阿 : 可是書上提的都是kt=1ev 需要~10000F : 所以很難到激發態 : 觀念就卡在這邊 我也有個疑問耶 通常會提到 thermal population 是在沒有 external excitation 的情況 請問你指的可見光是"背景光"的意思嗎？ 　你想了解的是否為，為何麼一塊直接能隙 1.0 eV 左右的材料 沒有辦法因為背景光而 population inversion？ 　對某些低能隙遠紅外線的材料而言，這種 thermal noise 確實要考慮 但比起真正的 optical pumping 而言，背景光都太弱了 　而且背景光的激發不夠持續強力，沒辦法克服 lifetime loss 如果你不是上述的意思 通常 hν>Eg 就可以 population inversion 需要注意的是，高能階的 degeneracy 往往較高 n = n2 - (g2/g1)n1 ≧ 0 所需的光子能量只要符合 hν>Eg 就可以了 但是 pumping power 需要大一些 所以背景光和 thermal energy 都不足以促使 population inversion 　 --

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