※ 引述《socu (so cute)》之铭言： : ※ 引述《AyeTemplar (桐思呢喃)》之铭言： : : Silicon 的 indirect bandgap (Χ-band) 是 1.1 eV 没错 : : 但 direct bandgap (Γ-band) 是 3.4 eV : : 所以大致来说要 3.4 eV 以上的 UV 光才能有效地激发 pure silicon : : 只有 strained Si 或 Si/Ge 才能让能带偏移而降低直接能隙 : 感谢你的回答 我大概了解了 : 其实我的问题不只有半导体 : 很多能阶差不都是1电子伏特吗 : 那有可见光的地方应该容易就居量反置阿 : 可是书上提的都是kt=1ev 需要~10000F : 所以很难到激发态 : 观念就卡在这边 我也有个疑问耶 通常会提到 thermal population 是在没有 external excitation 的情况 请问你指的可见光是"背景光"的意思吗？ 　你想了解的是否为，为何麽一块直接能隙 1.0 eV 左右的材料 没有办法因为背景光而 population inversion？ 　对某些低能隙远红外线的材料而言，这种 thermal noise 确实要考虑 但比起真正的 optical pumping 而言，背景光都太弱了 　而且背景光的激发不够持续强力，没办法克服 lifetime loss 如果你不是上述的意思 通常 hν>Eg 就可以 population inversion 需要注意的是，高能阶的 degeneracy 往往较高 n = n2 - (g2/g1)n1 ≧ 0 所需的光子能量只要符合 hν>Eg 就可以了 但是 pumping power 需要大一些 所以背景光和 thermal energy 都不足以促使 population inversion 　 --

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