作者AyeTemplar (桐思呢喃)
看板Physics
標題Re: [題目] 很容易就到激發態阿??
時間Fri Feb 22 20:27:10 2008
※ 引述《socu (so cute)》之銘言：
: [領域]近物
: [來源]大腦一時轉不過來
: 可見光光子能量約12400/4000A=3ev
: 矽的gap 1.1ev 金屬鍵約1ev 分子振動能階約0.1ev
: 所以應該在可見光下很容易就到比較高能階阿
: 何必考慮室溫下只有0.025eV 所以一般情況很難到激發態(或者說很容易居量反置)
: 或者說矽必須打入uv才能讓電子從valenced band 到導帶
: 無法理解阿....
Silicon 的 indirect bandgap (Χ-band) 是 1.1 eV 沒錯
但 direct bandgap (Γ-band) 是 3.4 eV
所以大致來說要 3.4 eV 以上的 UV 光才能有效地激發 pure silicon
只有 strained Si 或 Si/Ge 才能讓能帶偏移而降低直接能隙
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◆ From: 118.168.46.129
1F：推 pleasetoyou:一般而言,都是用雜質激發吧,也就是混合一些三五族的元 02/22 20:52
2F：→ pleasetoyou:素,所以異質接面磊增光半導體,便是極為有效率的一種方 02/22 20:54
3F：→ pleasetoyou:法,但是如何控制間接能隙,我還是不了解try數據的方法, 02/22 20:55
4F：→ pleasetoyou:我只能想到用sputtering,但是只會基本操作,也可謂忘了 02/22 20:57
5F：→ pleasetoyou:差不多,是在打電漿的部份嗎??? 02/22 20:58