作者AyeTemplar (桐思呢喃)
看板Physics
标题Re: [题目] 很容易就到激发态阿??
时间Fri Feb 22 20:27:10 2008
※ 引述《socu (so cute)》之铭言：
: [领域]近物
: [来源]大脑一时转不过来
: 可见光光子能量约12400/4000A=3ev
: 矽的gap 1.1ev 金属键约1ev 分子振动能阶约0.1ev
: 所以应该在可见光下很容易就到比较高能阶阿
: 何必考虑室温下只有0.025eV 所以一般情况很难到激发态(或者说很容易居量反置)
: 或者说矽必须打入uv才能让电子从valenced band 到导带
: 无法理解阿....
Silicon 的 indirect bandgap (Χ-band) 是 1.1 eV 没错
但 direct bandgap (Γ-band) 是 3.4 eV
所以大致来说要 3.4 eV 以上的 UV 光才能有效地激发 pure silicon
只有 strained Si 或 Si/Ge 才能让能带偏移而降低直接能隙
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 118.168.46.129
1F：推 pleasetoyou:一般而言,都是用杂质激发吧,也就是混合一些三五族的元 02/22 20:52
2F：→ pleasetoyou:素,所以异质接面磊增光半导体,便是极为有效率的一种方 02/22 20:54
3F：→ pleasetoyou:法,但是如何控制间接能隙,我还是不了解try数据的方法, 02/22 20:55
4F：→ pleasetoyou:我只能想到用sputtering,但是只会基本操作,也可谓忘了 02/22 20:57
5F：→ pleasetoyou:差不多,是在打电浆的部份吗??? 02/22 20:58