作者yata123 (歡樂)
看板Physics
標題[問題] X-ray的繞射峰強度
時間Tue Aug 7 15:40:32 2007
為什麼每根繞射峰的強度皆不同，如何解釋最強的那根為什麼是最強的
印象中每個繞射峰皆代表一個結晶面
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 140.116.175.160
1F：推 GSJ:簡單說就結構因子囉和晶胞數量囉 08/07 18:50
2F：推 yata123:沒那麼簡單吧 溫度也有差吧 結晶學寫一堆參數 08/07 19:10
3F：推 GSJ:我想會影響的參數不少 包掛儀器的誤差 試片的平整度 試片的吸 08/07 23:58
4F：→ GSJ:收...等等 溫度的話大概就是影響單一原子散射的數值 08/08 00:00
5F：→ GSJ:溫度越高 原子震動的越大 我想是應該會影響繞射的強度 08/08 00:04
6F：→ GSJ:但是在這些參數中 我想還是有分影響力的大小 就我做粉末繞射 08/08 00:04
7F：→ GSJ:refinement或是XRD結構的模擬 熱震動參數這一欄通常都是在最 08/08 00:05
8F：→ GSJ:後做refine 我也做過In-situ XRD 兩個的結果影響都不大 08/08 00:07
9F：→ GSJ:因為我才說是F跟N的原因 順便挑個語病 一個繞射鋒通常是代表 08/08 00:10
10F：→ GSJ:一"組"晶面 除了一些低對稱性晶面 以上是個人淺見 08/08 00:14
11F：推 chungweitw:溫度影響的就是 Debye-Waller factor. 08/08 03:19
12F：→ chungweitw:正比於 exp(-1/d^2). 所以 d 越大, 則這因子的影響 08/08 03:21
13F：→ chungweitw:越小 ( 因為熱震動相對於 d 小得多 ). 08/08 03:24
14F：→ chungweitw:而單純算 structure factor, 通常也是 d 越大, 強度 08/08 03:25
15F：→ chungweitw:越強 ( d 大 => K 小 ). 所以兩者的趨勢一致. 08/08 03:25
16F：→ chungweitw:所以..算結構因子即可. 08/08 03:27
17F：推 yata123:但是強度應該不是跟原子數成正比吧 要考慮試片吸收吧!? 08/08 10:48
18F：→ chungweitw:你一個樣品放在那邊, 大家吸收都一樣. 08/08 12:31
19F：→ chungweitw:你現在只在討論相對強度, 根本就不需考慮吸收 08/08 12:32
20F：推 yata123:我的意思是指 假設10mol%Cu-90mol%Ni 跟20mol%Cu-80mol%Ni 08/08 12:57
21F：→ yata123:20mol%Cu的繞射峰強度不是10mol%Cu的兩倍吧 08/08 12:58
22F：→ chungweitw:不考慮吸收的話, integrated intensity 是兩倍沒錯 08/08 13:19
23F：推 yata123:但是一定會有吸收吧 吸收對強度會影響很大嗎 08/08 13:37
24F：→ chungweitw:影響大或不大, 要看樣品大小, 入射光能量是否在吸收邊. 08/08 13:40
25F：→ chungweitw:但是你原本的問題是在問相對強度問題, 和你新問的問題 08/08 13:41
26F：→ chungweitw:不一樣. 08/08 13:41
27F：→ chungweitw:但是通常作繞射實驗, 會把入射光能量調到遠離吸收邊. 08/08 13:43
28F：推 yata123:integrated intensity是指面積還是高度 08/08 13:42
29F：→ chungweitw:這和實驗的方法有關..你去翻一下XRD相關的書吧.. 08/08 13:49
30F：→ chungweitw:因為不是單純的把peak 面積積起來 08/08 13:50
31F：→ chungweitw:否則..如果完美單晶. peak 高度應該是正比於N^2才對 08/08 13:51
32F：→ chungweitw:更正一下..有些實驗是用 CCD 或 imgage plate.. 08/09 07:56
33F：→ chungweitw:那麼此時就是peak 積起來.... 08/09 07:56
34F：→ chungweitw:以單晶而言, 高度~N^2, 寬度~1/N, 所以積分後 ~ N. 08/09 07:57
35F：推 sputtering:X-ray diffraction pattern 08/19 04:39
36F：→ sputtering:在single crystal/polycrystal/amophous 08/19 04:41
37F：→ sputtering:繞設峰位置都一樣 但強度不同 原因除了樓上那些大大 08/19 04:42
38F：→ sputtering:講的以外 最主要的是 繞設峰值強的代表在單一晶胞內 08/19 04:44
39F：→ sputtering:對稱系統的組數如國越多比如說<111>有八種是屬於同一對 08/19 04:47
40F：→ sputtering:稱面像fcc structure<111>繞射峰就很強 08/19 04:50
41F：→ sputtering:當然試片晶體本身就對秤的組數很少 它就會有一點像 08/19 04:55
42F：→ sputtering:amophous類似 08/19 04:57
43F：→ sputtering:當然我們現在的amophous還有一些short range order 08/19 04:58
44F：→ sputtering:所以看起來還是會有比較寬的特徵peak出現 08/19 05:00
45F：→ sputtering:依照射峰強度 同一個component的lattice structure不 08/19 05:01
46F：→ sputtering:同 peak強度在面對稱數較多如<111>上 08/19 05:04
47F：→ sputtering:intensity s.c. > p.c.>amophours 的結果 08/19 05:07