作者yata123 (欢乐)
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标题[问题] X-ray的绕射峰强度
时间Tue Aug 7 15:40:32 2007
为什麽每根绕射峰的强度皆不同，如何解释最强的那根为什麽是最强的
印象中每个绕射峰皆代表一个结晶面
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 140.116.175.160
1F：推 GSJ:简单说就结构因子罗和晶胞数量罗 08/07 18:50
2F：推 yata123:没那麽简单吧 温度也有差吧 结晶学写一堆参数 08/07 19:10
3F：推 GSJ:我想会影响的参数不少 包挂仪器的误差 试片的平整度 试片的吸 08/07 23:58
4F：→ GSJ:收...等等 温度的话大概就是影响单一原子散射的数值 08/08 00:00
5F：→ GSJ:温度越高 原子震动的越大 我想是应该会影响绕射的强度 08/08 00:04
6F：→ GSJ:但是在这些参数中 我想还是有分影响力的大小 就我做粉末绕射 08/08 00:04
7F：→ GSJ:refinement或是XRD结构的模拟 热震动参数这一栏通常都是在最 08/08 00:05
8F：→ GSJ:後做refine 我也做过In-situ XRD 两个的结果影响都不大 08/08 00:07
9F：→ GSJ:因为我才说是F跟N的原因 顺便挑个语病 一个绕射锋通常是代表 08/08 00:10
10F：→ GSJ:一"组"晶面 除了一些低对称性晶面 以上是个人浅见 08/08 00:14
11F：推 chungweitw:温度影响的就是 Debye-Waller factor. 08/08 03:19
12F：→ chungweitw:正比於 exp(-1/d^2). 所以 d 越大, 则这因子的影响 08/08 03:21
13F：→ chungweitw:越小 ( 因为热震动相对於 d 小得多 ). 08/08 03:24
14F：→ chungweitw:而单纯算 structure factor, 通常也是 d 越大, 强度 08/08 03:25
15F：→ chungweitw:越强 ( d 大 => K 小 ). 所以两者的趋势一致. 08/08 03:25
16F：→ chungweitw:所以..算结构因子即可. 08/08 03:27
17F：推 yata123:但是强度应该不是跟原子数成正比吧 要考虑试片吸收吧!? 08/08 10:48
18F：→ chungweitw:你一个样品放在那边, 大家吸收都一样. 08/08 12:31
19F：→ chungweitw:你现在只在讨论相对强度, 根本就不需考虑吸收 08/08 12:32
20F：推 yata123:我的意思是指 假设10mol%Cu-90mol%Ni 跟20mol%Cu-80mol%Ni 08/08 12:57
21F：→ yata123:20mol%Cu的绕射峰强度不是10mol%Cu的两倍吧 08/08 12:58
22F：→ chungweitw:不考虑吸收的话, integrated intensity 是两倍没错 08/08 13:19
23F：推 yata123:但是一定会有吸收吧 吸收对强度会影响很大吗 08/08 13:37
24F：→ chungweitw:影响大或不大, 要看样品大小, 入射光能量是否在吸收边. 08/08 13:40
25F：→ chungweitw:但是你原本的问题是在问相对强度问题, 和你新问的问题 08/08 13:41
26F：→ chungweitw:不一样. 08/08 13:41
27F：→ chungweitw:但是通常作绕射实验, 会把入射光能量调到远离吸收边. 08/08 13:43
28F：推 yata123:integrated intensity是指面积还是高度 08/08 13:42
29F：→ chungweitw:这和实验的方法有关..你去翻一下XRD相关的书吧.. 08/08 13:49
30F：→ chungweitw:因为不是单纯的把peak 面积积起来 08/08 13:50
31F：→ chungweitw:否则..如果完美单晶. peak 高度应该是正比於N^2才对 08/08 13:51
32F：→ chungweitw:更正一下..有些实验是用 CCD 或 imgage plate.. 08/09 07:56
33F：→ chungweitw:那麽此时就是peak 积起来.... 08/09 07:56
34F：→ chungweitw:以单晶而言, 高度~N^2, 宽度~1/N, 所以积分後 ~ N. 08/09 07:57
35F：推 sputtering:X-ray diffraction pattern 08/19 04:39
36F：→ sputtering:在single crystal/polycrystal/amophous 08/19 04:41
37F：→ sputtering:绕设峰位置都一样 但强度不同 原因除了楼上那些大大 08/19 04:42
38F：→ sputtering:讲的以外 最主要的是 绕设峰值强的代表在单一晶胞内 08/19 04:44
39F：→ sputtering:对称系统的组数如国越多比如说<111>有八种是属於同一对 08/19 04:47
40F：→ sputtering:称面像fcc structure<111>绕射峰就很强 08/19 04:50
41F：→ sputtering:当然试片晶体本身就对秤的组数很少 它就会有一点像 08/19 04:55
42F：→ sputtering:amophous类似 08/19 04:57
43F：→ sputtering:当然我们现在的amophous还有一些short range order 08/19 04:58
44F：→ sputtering:所以看起来还是会有比较宽的特徵peak出现 08/19 05:00
45F：→ sputtering:依照射峰强度 同一个component的lattice structure不 08/19 05:01
46F：→ sputtering:同 peak强度在面对称数较多如<111>上 08/19 05:04
47F：→ sputtering:intensity s.c. > p.c.>amophours 的结果 08/19 05:07