※ 引述《HLiNaKRbCsFr (...)》之銘言： : 而 v ε : F 它說是 "對應到費米能量 F 的電子速度" : 2ε_F : 以銅來說 v = ------- = 1.57 * 10^6 m/s : F m_e : 課本又說這個平均時間τ 事實上跟外加電位差所造成的電場無關 tau 是物體本身特性. 和 impurity 有關 ( 所有晶體的 imperfections, 包括電子對週遭charge 分布的影響都算.) 當然, 溫度也會影響 tau. ( e-e 或 e-p interactions ) : 因為 "v is extremely high compared with the velocity change such a field : F : produces" 以銅來說，附加上的飄移速度 = 0.74 mm/s : * : 我的問題是 v 是由於熱能所引起的的"電子擴散速度"嗎? : F : 若不是，應該怎麼去歸類v 呢? : * F 就 Fermi velocity. 和熱能無關. 只和能帶結構有關. => dE/dk at the Fermi surface. : * : 我的問題是， : 讀電子學時，課本上竟然有一段 "In the following description of current flow, : only diffusion-current components are considered. Drift current, due to : thermally generated minority carriers, are usually very small and can be : neglected. : !!!!!! 飄移速度變成熱能所造成了!! : 而且儀器操作主因的V ，竟然變成minority, 次要角色了!! : d 例如在 biased pn junctions 的時候... homo p-type 和 depletion layer 之間的 diffusion region. 由於 electron carrier 很少, 所以 drift current 就很少. 而這時 electron carrier 是 minority carrier, 主要是來自 thermal excitation...量很少... ( 簡單的說....drift current 正比於電場. 但是由於他也正比於 carrier density, 在以上的情形, carrier density 來自於 thermal excitation ) : 我現在被這兩本書弄得很混亂... : 有請高手指點... : * : ------------- --

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