作者chungweitw (chungwei)
看板Physics
标题Re: [问题] 电子飘移与扩散速度之观念请教
时间Sun Apr 22 15:54:10 2007
※ 引述《HLiNaKRbCsFr (...)》之铭言:
: 而 v ε
: F 它说是 "对应到费米能量 F 的电子速度"
: 2ε_F
: 以铜来说 v = ------- = 1.57 * 10^6 m/s
: F m_e
: 课本又说这个平均时间τ 事实上跟外加电位差所造成的电场无关
tau 是物体本身特性.
和 impurity 有关 ( 所有晶体的 imperfections, 包括电子对周遭charge
分布的影响都算.)
当然, 温度也会影响 tau. ( e-e 或 e-p interactions )
: 因为 "v is extremely high compared with the velocity change such a field
: F
: produces" 以铜来说,附加上的飘移速度 = 0.74 mm/s
: *
: 我的问题是 v 是由於热能所引起的的"电子扩散速度"吗?
: F
: 若不是,应该怎麽去归类v 呢?
: * F
就 Fermi velocity.
和热能无关. 只和能带结构有关. => dE/dk at the Fermi surface.
: *
: 我的问题是,
: 读电子学时,课本上竟然有一段 "In the following description of current flow,
: only diffusion-current components are considered. Drift current, due to
: thermally generated minority carriers, are usually very small and can be
: neglected.
: !!!!!! 飘移速度变成热能所造成了!!
: 而且仪器操作主因的V ,竟然变成minority, 次要角色了!!
: d
例如在 biased pn junctions 的时候...
homo p-type 和 depletion layer 之间的 diffusion region.
由於 electron carrier 很少, 所以 drift current 就很少.
而这时 electron carrier 是 minority carrier, 主要是来自 thermal
excitation...量很少...
( 简单的说....drift current 正比於电场. 但是由於他也正比於
carrier density, 在以上的情形, carrier density 来自於 thermal
excitation )
: 我现在被这两本书弄得很混乱...
: 有请高手指点...
: *
: -------------
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1F:推 HLiNaKRbCsFr:有点懂了 谢谢~ 04/22 23:01