※ 引述《HLiNaKRbCsFr (...)》之铭言： : 而 v ε : F 它说是 "对应到费米能量 F 的电子速度" : 2ε_F : 以铜来说 v = ------- = 1.57 * 10^6 m/s : F m_e : 课本又说这个平均时间τ 事实上跟外加电位差所造成的电场无关 tau 是物体本身特性. 和 impurity 有关 ( 所有晶体的 imperfections, 包括电子对周遭charge 分布的影响都算.) 当然, 温度也会影响 tau. ( e-e 或 e-p interactions ) : 因为 "v is extremely high compared with the velocity change such a field : F : produces" 以铜来说，附加上的飘移速度 = 0.74 mm/s : * : 我的问题是 v 是由於热能所引起的的"电子扩散速度"吗? : F : 若不是，应该怎麽去归类v 呢? : * F 就 Fermi velocity. 和热能无关. 只和能带结构有关. => dE/dk at the Fermi surface. : * : 我的问题是， : 读电子学时，课本上竟然有一段 "In the following description of current flow, : only diffusion-current components are considered. Drift current, due to : thermally generated minority carriers, are usually very small and can be : neglected. : !!!!!! 飘移速度变成热能所造成了!! : 而且仪器操作主因的V ，竟然变成minority, 次要角色了!! : d 例如在 biased pn junctions 的时候... homo p-type 和 depletion layer 之间的 diffusion region. 由於 electron carrier 很少, 所以 drift current 就很少. 而这时 electron carrier 是 minority carrier, 主要是来自 thermal excitation...量很少... ( 简单的说....drift current 正比於电场. 但是由於他也正比於 carrier density, 在以上的情形, carrier density 来自於 thermal excitation ) : 我现在被这两本书弄得很混乱... : 有请高手指点... : * : ------------- --

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