作者Yangbin (Yangbin)
看板Physics
标题Re: [问题]请问pn接面二极体的空乏区
时间Sun Aug 10 17:25:33 2008
※ 引述《wqert (冲冲冲)》之铭言：
: ※ 引述《Yangbin (Yangbin)》之铭言：
: : 如题
: : 就是为什麽在n区的空乏区
: : 电子浓度会减少...电洞浓度会增加??
: 因为在固定温度，以及稳态的条件下
: 电子浓度乘以电洞浓度为一定值
: (其值为 ni^2)
: 电子浓度下降，电洞浓度自然就要上升.
: ni是intrinsic density
: 对矽/室温来说是1.45E-10 1/cm^3.
: : 是因为扩散电流以多数载子电洞由p到n 电子由n到p吗??
: : 以上是猜测~~不知道哪本书有写~~还是我没念懂~~
谢谢你的回应~~
不过我的问题比较接近为什麽在n区的空乏区
电子会浓度会减少??
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◆ From: 59.127.163.150
1F：推 wqert:不知道有没有误会: 他说的减少应该只是相对於N side doping 08/10 17:43
2F：→ wqert:浓度的减少. 因为depletion region，如果有大量的eletron 08/10 17:43
3F：→ wqert:也会被对面扩散过来的hole给recombine掉. 08/10 17:44
4F：→ wqert:所以最後平衡时的浓度, 就很低了. 08/10 17:46