作者socu (so cute)
看板Physics
标题Re: [题目] 很容易就到激发态阿??
时间Sat Feb 23 09:26:59 2008
※ 引述《AyeTemplar (桐思呢喃)》之铭言：
: ※ 引述《socu (so cute)》之铭言：
: : [领域]近物
: : [来源]大脑一时转不过来
: : 可见光光子能量约12400/4000A=3ev
: : 矽的gap 1.1ev 金属键约1ev 分子振动能阶约0.1ev
: : 所以应该在可见光下很容易就到比较高能阶阿
: : 何必考虑室温下只有0.025eV 所以一般情况很难到激发态(或者说很容易居量反置)
: : 或者说矽必须打入uv才能让电子从valenced band 到导带
: : 无法理解阿....
: Silicon 的 indirect bandgap (Χ-band) 是 1.1 eV 没错
: 但 direct bandgap (Γ-band) 是 3.4 eV
: 所以大致来说要 3.4 eV 以上的 UV 光才能有效地激发 pure silicon
: 只有 strained Si 或 Si/Ge 才能让能带偏移而降低直接能隙
感谢你的回答 我大概了解了
其实我的问题不只有半导体
很多能阶差不都是1电子伏特吗
那有可见光的地方应该容易就居量反置阿
可是书上提的都是kt=1ev 需要~10000F
所以很难到激发态
观念就卡在这边
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