GaN MOSFET成為EV快速充電市場之關鍵零組件 https://bit.ly/3BLDDVl 推動電動車之主要挑戰，包括需要更多支持性基礎設施、更長的車輛續航里程、車載電源 管理以及更快的充電系統。其中，車輛充電系統受到的關注最少，但這卻是推動電動車普 及的關鍵因素。 其中，氮化鎵MOSFET是充電系統所需的重要零組件之一，因為其具有更好的熱處理能力、 高功率傳輸、高移動率和其他優勢。 根據研究發現，GaN MOSFET在許多系統中具有多項優勢，這涵蓋從直流電源系統到高頻RF 系統。首先，GaN的高移動率和寬能隙（3.4 eV）可確保較低的傳導損耗。其次，其可以 比矽器件在更高的溫度下運行，使得GaN MOSFET可用於更高功率的應用。最後，其比同類 矽器件具有更低的輸入電容，因此可製造為更小的器件。 對於電動車來說，沉積在SiC上的GaN器件，將可利用SiC更高的熱導率來散熱。這意味著 GaN-on-SiC功率MOSFET用於高功率應用時，可以保持較低的損耗。因此，用於EV充電的 DC-DC轉換器，能獲得其優勢。 但是如何縮短充電時間，GaN MOSFET就扮演關鍵角色了。 電動車快速充電的一個關鍵推動因素是，充電單元中DC-DC轉換器的拓撲結構。早期的1級 和2級EV充電系統是使用AC-DC轉換器來充電。但是現今3級系統是以每分鐘充電20英哩的 速度進行快速EV充電。典型的3級EV充電系統通常使用多相降壓、升壓或降升壓拓撲，為 EV充電站的電池組和充電管理系統提供高功率傳輸。 使用GaN MOSFET將可成為一種增強此類系統的方法。通過在這些設計中使用 GaN MOSFET ，開關轉換器部分可以在更高的開關PWM（Pulse-width modulation）頻率和更快的邊緣 速率下運行，因為充電/放電調變不受設備固有電容的限制。 更高的PWM頻率通常會帶來更快的邊緣速率，允許設計在ON和OFF狀態之間進行更深入的調 變，從而提供更低的R-ON值。然後，該設計以熱量的形式耗散較少的功率，並且可以更容 易地將熱量消散到PCB基板和外殼中。 總之，希望建構高能效穩壓器設計的電源系統，可以將GaN-Si或GaN-SiC作為首選材料。 GaN MOSFET作為功率傳輸的開關元件，並不僅限於汽車，RF功率系統也需要，因此，GaN MOSFET在急需快速充電的電動車領域，將非常具有發展性。 --

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