※ 引述《MSE2005 (混吃等老死)》之銘言： : 今天跟友人聊到這話題, 突然有點腦袋當機的fu, : 講到Dram, logic IC, 大家都可以馬上反應出是哪些公司在做, : 哪些是該領域技術領先者, : 但是仔細想想, 對工程師而言, 不管你是在TSMC或是在美光, : 一樣式做黃光, 蝕刻, 電鍍..... : 那兩者差別在哪? : 我可以這樣說嗎? : 同樣是木工跟水電, 上面設計師不一樣(dram, logic), : 所以有些去蓋巨蛋, 有些去蓋高鐵, 有些去蓋豪宅, : 雖然都是水電木工, 但是後來分化的強項就不一樣 : 還是說, dram比較像是專門生產系統櫃的公司, : 然後logic比較像是統包監工(室內設計師)要把不同的家具系統櫃最美化 : dram一樣有線寬競爭 (雖然該線寬的定義跟logic不同) : TSMC一樣有接dram的單....所以表示TSMC要發展dram也不是不可能, : 那麼, 台灣會輸掉dram的原因是什麼? 原文的推文中，其實多少有提到兩者的差異性。 這樣說好了，DRAM或是其他所謂的記憶體製程，所注重的是〔前段製程〕， 即重視元件的製作。邏輯IC所注重的是〔後段製程〕，也就是金屬連接線之間的處理 例如，使用銅製程或是Low-K的材料減少RC delay，或是使用High-K/Metal-K來減少 電晶體閘極漏電流或是加快切換速度。 台灣的記憶體公司並不會將太多的人力投注於後段部份，畢竟，記憶體產品的重點是在 記憶元件(或是稱為記憶細胞(cell)，如同大家所熟知DRAM的1T+1C的架構。公司會研究 你要用溝渠式(trench)或是堆疊式(stack)去長出好的電容，畢竟，這是DRAM cell的 精華所在，如果連cell都長不好，遑論其他的部份。至於DRAM cell以外的周邊電路 只要可以正常操作就已足夠，因為公司也沒太多錢讓你去燒...。 這些製程考量的差義，自然而然就會反應在電路設計上。 (一個使用全新的製程所設計的記憶體產品從design start到Tapeout可能需要8~12個月， 相對而言，邏輯產品可能就短的多了) 再者，你也提到一個差異點，好比我們稱這是XX奈米的製程，這些數字: 對邏輯產品而言，指的是電路佈局上的閘極寬度(gate length) 對DRAM產品而言，指的是二分之一的pitch (spacing + width) 對Flash產品而言，指的是相鄰兩個浮動閘極(floating gate)的距離 這些都是不同的意義。(搞不好，有些人都分不清上述的區別！) 另外，台積當然可以搞個DRAM製程。別說是DRAM, Flash/PCM/ReRAM也都沒問題，畢竟 這些記憶體產品都是相容於CMOS製程，差在於多幾層光罩而已。(當然啦，多這幾層光罩 就能搞得你不要不要的~~) 只是，這要花多少錢？畢竟公司是以賺錢為目的，記憶體市場的代工利潤是不是夠好？ 產能利用率高不高？市場在哪邊?....等等許多因素要考慮。韓國，如三星，幾乎是 傾盡國力去support這家公司，光是研發費用可能就遠遠超過台灣所有DRAM廠的某N季 的總營收... 台灣DRAM廠多半只能尋求歐美日的結盟，簽簽技轉，空個產能出來...畢竟現在 要趕上世代的落差已是不可能的事...。 -- 在臺灣，何謂R&D工程師? 1.Reverse and Decap :IC反向工程，去膠，打開封裝，拍照，複製電路佈局。 2.Resign and Die :沒死的就操到辭職，沒辭職的就操到死。 3.Rework and Debug :計畫永遠跟不上變化，變化永遠跟不上老闆的一句話！ 4.Relax and Delay :太過於輕鬆(Relax)，那麼就要有schedule delay的準備！ 但是外派到大陸的臺灣郎，晚上是R (鴨)陪客戶，白天是D (豬)任人宰割！ --

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