前言: intel在今年的6月發佈了cedarmill以及presler核心 將由C1製程改為更先進的D0製程 這個消息當時宣佈的時候,市面上連C1製程的產品都還未見到 因此改D0製程這件事情,有注意的人並不多 相關新聞連結: http://www.hkepc.com/bbs/news.php?tid=617900 http://www.hkepc.com/bbs/news.php?tid=617807 http://intel.pcnalert.com/content/eolpcn/PCN106404-00.pdf 主要的特徵大略就是把單核心的TDP由86W降低到65W 雙核心全線的TDP都降為95W,以及修正一些cpu中已知的bug 依照上面intel的官方文件內容,D0製程工程版的釋出日期是7/17日 我這次有幸在第一時間就入手.為何拖到今天才寫報告,後面會在說明 cpu概觀: 我這次入手的是P4 661 3.6G這顆CPU D0製程你拿在手上最明顯的特徵就是intel的標誌已經是06了 目前上市的conroe或是6系列的C1製程都還在05 另外就是底部電容電阻排列的方式也和之前C1製程明顯不同,反而有點像90nm的P4 cpu正面照片,生產週期是06年17周 http://219.84.132.86/ftproot/060404/661/0358.jpg cpu底部照片 (左:651 C1 右:661 D0) http://219.84.132.86/ftproot/060404/661/0361.jpg cpu底部照片 (左:661 D0 右:賽揚336 E0) http://219.84.132.86/ftproot/060404/661/0381.jpg 測試器材: 主機板:ASUS P5LD2 v1.02 記憶體:創見DDR2-667 512Mx2 顯示卡:NV Quadro NVS280 PCI-E HDD:日立80G 2M IDE POWER:全漢藍色350W 散熱裝置:intel盒裝原廠風扇,5000RPM小風扇吹北橋散熱片 UPS:台達500VA 1.超頻性質測試: 若新製程的CPU一出來,最先令人期待的一定就是超頻性測試了 在原廠風扇的散熱狀態之下,我手上這顆C1製程的P4 651可以設4.9G開機 這顆D0的661一放下去,同樣是預設電壓4.9G,結果卻是不開機 觀察BIOS中的電壓選項,651 C1最低可以調到1.15V 不過這顆661 D0最低只到1.225V C1在1.15V的狀況之下可以4.5G開機, D0在1.225V的電壓也終於可以4.5G進BIOS 如果以某論壇的標準來說,這顆cpu確實是烙x,可以丟到一旁不用測了 不過D0製程真的一無是處嗎?? 因此我必須還要測下去才了解這個新製程的特色 2.耗電量以及核心溫度測試: CPU:P4 651 3.4G C1製程 (TDP:86W/預設電壓=1.3V) 測試時室溫=26度 P4 661 3.6G D0製程 (TDP:65W/預設電壓=1.35V) 測試時室溫=33度 為了更方便比較,我把661的倍頻設在17倍,和651一樣以3.4G運作 D0製程比較不同的地方是,BIOS設AUTO直接抓到的預設電壓是1.35V 高於C1製程的1.30V 預設時脈/電壓測試 核心溫度 系統耗電量 P4 651-C1 P4 661-D0 P4 651-C1 P4 661-D0 CPU idle 42c 43c 108w 87w CPU idle EIST 36c 39c 93w 78w SP2004 x1 55c 57c 153w 129w SP2004 x2 58c 58c 159w 132w 預設值就溫度來講,雙方好像差距不大 不過兩者的室溫差了7度之多,661-D0的核心溫度確實是大降了 就系統耗電量來看更為明顯 預設時脈/最低電壓測試 (651=1.2v 661=1.23v) 核心溫度 系統耗電量 P4 651-C1 P4 661-D0 P4 651-C1 P4 661-D0 CPU idle EIST 35c 39c 87w 78w SP2004 x1 47c 52c 129w 114w SP2004 x2 51c 54c 135w 120w 超頻/最低電壓測試 ([email protected] [email protected]) 核心溫度 系統耗電量 P4 651-C1 P4 661-D0 P4 651-C1 P4 661-D0 CPU idle 40c 41c 96w 81w SP2004 x1 55c 54c 147w 126w SP2004 x2 57c 58c 153w 129w 我們也可以發現到661-D0降壓超頻的平衡點大約在1.23v 4.2G左右 以這個設定下去運作的話,耗電量將會和預設值差不多 既然D0製程的耗電量表現這麼優異,那麼超頻性是真的不佳嗎?? 我們可以看到系統耗電量在153w左右,可以讓C1製程工作在4.43G的時脈 如果這153w的標準拿給D0製程來用,頻率還會比4.43G還高嗎?? 因此我在預設電壓1.35v跑4.5G的設定給D0製程,並做了測試 超頻/適當電壓測試 ([email protected] [email protected]) 核心溫度 系統耗電量 P4 651-C1 P4 661-D0 P4 651-C1 P4 661-D0 CPU idle 40c 43c 96w 84w SP2004 x1 55c 61c 147w 144w SP2004 x2 57c 62c 153w 150w 我們可以輕易的發現,D0製程在超頻上雖然電壓的數字比較醜 不過以相同耗電量以及頻率的標準來看,C1和D0的超頻性其實是差不多的 超頻5GHz測試 (651=1.4v 661=1.55v) 核心溫度 系統耗電量 P4 651-C1 P4 661-D0 P4 651-C1 P4 661-D0 CPU idle 58c 55c 156w 132w SP2004 x1 82c* 78c 225w* 201w SP2004 x2 81c* 80c* 231w* N/A* *=CPU核心溫度在80度以上已啟動自動降速功能(TM2 Throotle),此數值僅供參考 雖然D0製程超上5GHz需要1.55v的電壓才行,遠高於C1製程的1.4V 不過耗電量卻令人意外的,還是低於C1製程的1.4v@5GHz 總結: D0製程是intel拿超頻性換取低耗電量的一個實例 intel在轉換到65nm製程以後,絕對有能力在合理範圍做出4GHz的單核cpu 從C1製程單核心在最低1.15v的電壓,就可以24*7穩定工作於4.2G的時脈 這個情況就可以很明顯的看出來的確如此 在之前的測試中有提到,intel雙核心是增加cpu底部的電阻以得到較低的電流 從C1-->D0這麼大的功耗改變,我相信intel也把這個方法用在單核心的身上 從文初的cpu底部照片就可略知一二,C1和D0的底部有非常大的不同 也只有這個方法,能在短時間內有效的降低耗電量與發熱量 而犧牲一點在"相同電壓"之下的超頻性 從另外一點分析,netbrust架構就是同時脈下效能不佳,並且核心的溫度高 intel目前如果做出4.0G 或是4.2G的單核心 去增加那幾百MHz所得到的效能相當有限,意義不大 不如就犧牲一點時脈來降低耗電量吧,也讓65nm高的核心溫度有更直接的改善 這點對於一般用戶來講也是一個好消息 65nm D0製程的核心溫度已經降到和90nm E0製程差不多 唯一不同的地方就是更小的die size,也因為這個因素能讓TDP壓在65w左右 根據這十幾天的燒機使用結果與心得, 就D0製程整體發熱量來講,我覺得有和K8單核比拼的可能性 在標準狀態下的核心溫度雖然比K8高出了7度~10度左右 不過die size卻只有81mm2,明顯低於AM2單核的103mm2 總和起來,這兩者的發熱量已經是差不多了 唯一可惜的就是,這顆低發熱量cpu的出現時機太晚了 如果intel早半年做出來,65nm製程所帶來的優勢可以再更明顯 全部測試圖: http://219.84.132.86/ftproot/060404/661/ 這顆cpu入手日期是在7/20,不過賣家告訴我因為時機還敏感 要寫公開測試報告的話必須在8/10以後才能發表,也因此遲了一點時間 --

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