前言: intel在今年的6月发布了cedarmill以及presler核心 将由C1制程改为更先进的D0制程 这个消息当时宣布的时候,市面上连C1制程的产品都还未见到 因此改D0制程这件事情,有注意的人并不多 相关新闻连结: http://www.hkepc.com/bbs/news.php?tid=617900 http://www.hkepc.com/bbs/news.php?tid=617807 http://intel.pcnalert.com/content/eolpcn/PCN106404-00.pdf 主要的特徵大略就是把单核心的TDP由86W降低到65W 双核心全线的TDP都降为95W,以及修正一些cpu中已知的bug 依照上面intel的官方文件内容,D0制程工程版的释出日期是7/17日 我这次有幸在第一时间就入手.为何拖到今天才写报告,後面会在说明 cpu概观: 我这次入手的是P4 661 3.6G这颗CPU D0制程你拿在手上最明显的特徵就是intel的标志已经是06了 目前上市的conroe或是6系列的C1制程都还在05 另外就是底部电容电阻排列的方式也和之前C1制程明显不同,反而有点像90nm的P4 cpu正面照片,生产周期是06年17周 http://219.84.132.86/ftproot/060404/661/0358.jpg cpu底部照片 (左:651 C1 右:661 D0) http://219.84.132.86/ftproot/060404/661/0361.jpg cpu底部照片 (左:661 D0 右:赛扬336 E0) http://219.84.132.86/ftproot/060404/661/0381.jpg 测试器材: 主机板:ASUS P5LD2 v1.02 记忆体:创见DDR2-667 512Mx2 显示卡:NV Quadro NVS280 PCI-E HDD:日立80G 2M IDE POWER:全汉蓝色350W 散热装置:intel盒装原厂风扇,5000RPM小风扇吹北桥散热片 UPS:台达500VA 1.超频性质测试: 若新制程的CPU一出来,最先令人期待的一定就是超频性测试了 在原厂风扇的散热状态之下,我手上这颗C1制程的P4 651可以设4.9G开机 这颗D0的661一放下去,同样是预设电压4.9G,结果却是不开机 观察BIOS中的电压选项,651 C1最低可以调到1.15V 不过这颗661 D0最低只到1.225V C1在1.15V的状况之下可以4.5G开机, D0在1.225V的电压也终於可以4.5G进BIOS 如果以某论坛的标准来说,这颗cpu确实是烙x,可以丢到一旁不用测了 不过D0制程真的一无是处吗?? 因此我必须还要测下去才了解这个新制程的特色 2.耗电量以及核心温度测试: CPU:P4 651 3.4G C1制程 (TDP:86W/预设电压=1.3V) 测试时室温=26度 P4 661 3.6G D0制程 (TDP:65W/预设电压=1.35V) 测试时室温=33度 为了更方便比较,我把661的倍频设在17倍,和651一样以3.4G运作 D0制程比较不同的地方是,BIOS设AUTO直接抓到的预设电压是1.35V 高於C1制程的1.30V 预设时脉/电压测试 核心温度 系统耗电量 P4 651-C1 P4 661-D0 P4 651-C1 P4 661-D0 CPU idle 42c 43c 108w 87w CPU idle EIST 36c 39c 93w 78w SP2004 x1 55c 57c 153w 129w SP2004 x2 58c 58c 159w 132w 预设值就温度来讲,双方好像差距不大 不过两者的室温差了7度之多,661-D0的核心温度确实是大降了 就系统耗电量来看更为明显 预设时脉/最低电压测试 (651=1.2v 661=1.23v) 核心温度 系统耗电量 P4 651-C1 P4 661-D0 P4 651-C1 P4 661-D0 CPU idle EIST 35c 39c 87w 78w SP2004 x1 47c 52c 129w 114w SP2004 x2 51c 54c 135w 120w 超频/最低电压测试 ([email protected] [email protected]) 核心温度 系统耗电量 P4 651-C1 P4 661-D0 P4 651-C1 P4 661-D0 CPU idle 40c 41c 96w 81w SP2004 x1 55c 54c 147w 126w SP2004 x2 57c 58c 153w 129w 我们也可以发现到661-D0降压超频的平衡点大约在1.23v 4.2G左右 以这个设定下去运作的话,耗电量将会和预设值差不多 既然D0制程的耗电量表现这麽优异,那麽超频性是真的不佳吗?? 我们可以看到系统耗电量在153w左右,可以让C1制程工作在4.43G的时脉 如果这153w的标准拿给D0制程来用,频率还会比4.43G还高吗?? 因此我在预设电压1.35v跑4.5G的设定给D0制程,并做了测试 超频/适当电压测试 ([email protected] [email protected]) 核心温度 系统耗电量 P4 651-C1 P4 661-D0 P4 651-C1 P4 661-D0 CPU idle 40c 43c 96w 84w SP2004 x1 55c 61c 147w 144w SP2004 x2 57c 62c 153w 150w 我们可以轻易的发现,D0制程在超频上虽然电压的数字比较丑 不过以相同耗电量以及频率的标准来看,C1和D0的超频性其实是差不多的 超频5GHz测试 (651=1.4v 661=1.55v) 核心温度 系统耗电量 P4 651-C1 P4 661-D0 P4 651-C1 P4 661-D0 CPU idle 58c 55c 156w 132w SP2004 x1 82c* 78c 225w* 201w SP2004 x2 81c* 80c* 231w* N/A* *=CPU核心温度在80度以上已启动自动降速功能(TM2 Throotle),此数值仅供参考 虽然D0制程超上5GHz需要1.55v的电压才行,远高於C1制程的1.4V 不过耗电量却令人意外的,还是低於C1制程的1.4v@5GHz 总结: D0制程是intel拿超频性换取低耗电量的一个实例 intel在转换到65nm制程以後,绝对有能力在合理范围做出4GHz的单核cpu 从C1制程单核心在最低1.15v的电压,就可以24*7稳定工作於4.2G的时脉 这个情况就可以很明显的看出来的确如此 在之前的测试中有提到,intel双核心是增加cpu底部的电阻以得到较低的电流 从C1-->D0这麽大的功耗改变,我相信intel也把这个方法用在单核心的身上 从文初的cpu底部照片就可略知一二,C1和D0的底部有非常大的不同 也只有这个方法,能在短时间内有效的降低耗电量与发热量 而牺牲一点在"相同电压"之下的超频性 从另外一点分析,netbrust架构就是同时脉下效能不佳,并且核心的温度高 intel目前如果做出4.0G 或是4.2G的单核心 去增加那几百MHz所得到的效能相当有限,意义不大 不如就牺牲一点时脉来降低耗电量吧,也让65nm高的核心温度有更直接的改善 这点对於一般用户来讲也是一个好消息 65nm D0制程的核心温度已经降到和90nm E0制程差不多 唯一不同的地方就是更小的die size,也因为这个因素能让TDP压在65w左右 根据这十几天的烧机使用结果与心得, 就D0制程整体发热量来讲,我觉得有和K8单核比拼的可能性 在标准状态下的核心温度虽然比K8高出了7度~10度左右 不过die size却只有81mm2,明显低於AM2单核的103mm2 总和起来,这两者的发热量已经是差不多了 唯一可惜的就是,这颗低发热量cpu的出现时机太晚了 如果intel早半年做出来,65nm制程所带来的优势可以再更明显 全部测试图: http://219.84.132.86/ftproot/060404/661/ 这颗cpu入手日期是在7/20,不过卖家告诉我因为时机还敏感 要写公开测试报告的话必须在8/10以後才能发表,也因此迟了一点时间 --

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